SK海力士量產業界首款321層NAND 明年上半年起供應

記憶體大廠 SK 海力士今 (21) 日宣佈，開始量產全球最高的 321 層 1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND Flash，計劃從明年上半年開始提供給客戶，以因應市場需求。

SK 海力士表示，公司從 2023 年 6 月量產業界最高的上一代 238 層 NAND Flash 產品，並供應給市場，此次又率先推出超過 300 層的 NAND Flash，突破技術限制。

SK 海力士說，此次產品採用高生產效率的「3-Plug」工藝技術，克服堆疊限制，透過分三次通孔，隨後經優化的後續工藝將 3 個通孔進行電氣連接，過程中也開發出低變形材料，引進通孔間自動排列 (alignment) 矯正技術，技術團隊也將上一代 238 層 NAND Flash 的開發平臺應用於 321 層，最大限度地減少工藝變化，與上一代相比，生產效率提升 59%。

SK 海力士 321 層產品與上一代相比，數據傳輸速度和讀取性能分別提高 12%、13%，並且數據讀取能效也提高 10% 以上，公司將以 321 層 NAND Flash 積極面向 AI 的低功耗、高性能新市場，逐漸擴大應用範圍。

SK 海力士 NAND Flash 開發擔當副社長崔正達表示，公司率先投入 300 層以上的 NAND Flash，將搶攻用於 AI 資料中心的固態硬碟、終端 AI 等市場，並佔據有利位置，強調公司不僅在 HBM 為代表的 DRAM，在 NAND Flash 領域也具備超高性能記憶體產品群組，躍升為全方位面向 AI 的記憶體供應商。

NAND Flash 晶片根據每單元 (Cell) 可儲存的資訊量 (比特，bit)，分為 SLC(Single level Cell，1 位)、MLC(Muti Level Cell，2 位)、TLC(Triple Level Cell，3 位)、QLC(Quadruple Level Cell，4 位)、PLC(Penta Level Cell，5 位) 等不同規格。單元資訊存儲容量越大，意味著單位面積可以儲存的數據越多。