SK海力士衝刺16層HBM3e 明年初送樣給客戶

SK 海力士今 (4) 日舉辦 SK AI 高峰會，執行長郭魯正 (Kwak Noh-Jung) 表示，公司持續不斷研發 48GB、16 層的 HBM3E，預計明年初就可送樣給客戶，同時也指出大客戶輝達 (NVDA-US) 要求公司將 HBM4 的供貨時間提前 6 個月。

郭魯正指出，進入 HBM4 後，公司將與全球頂尖邏輯晶圓代工廠合作，在基礎晶片 (Basedie) 上採用邏輯工藝，為客戶提供最好的產品，也看好客製化 HBM 將會是效能更優化的產品，反映客戶對容量、頻寬和功能的各種需求，為 AI 記憶體樹立新典範。

SK 海力士 HBM4 主要與台積電 (2330-TW)(TSM-US) 合作，採用 12 奈米與 5 奈米製程生產，同時也攜手台積電旗下創意 (3443-TW)，透過創意 IP 協助後段封裝生產，屆時隨著量產時程提早，也將挹注兩家台廠營運。

郭魯正說，12 層 HBM3E 已經進入量產，也將用 Advanced MR-MUF 製程生產 16 層 HBM3E，同時開發混合鍵合技術，與 12 層相比，16 層產品的訓練效能提升 18%，推理效能提升 32%。

郭魯正看好，隨著 AI 推理加速器市場不斷擴大，16 層產品將有助公司未來發展，鞏固公司在 AI 記憶體領域的領先地位。