研調機構TrendForce資深研究副總吳雅婷今(30)日表示，儘管市場對2025年HBM可能供過於求的擔憂加劇，但明年廠商能否依照期望大量轉進HBM3e仍是未知數，加上量產HBM3e12層的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現產能過剩態勢。據TrendForce最新調查，三星、SK海力士與美光(MU-US)已分別於2024年上半年和第三季提交首批HBM3e12層樣品，目前處於持續驗證階段。其中SK海力士與美光進度較快，可望在今年底完成驗證。市場傳出，因部分DRAM供應商積極增加矽穿孔(Through-SiliconVia,TSV)製程產能，將造成2025出現供過於求與價格下滑的可能。根據兩家韓系DRAM廠商目前的TSV產能提升計畫，三星2024年底月產能約12萬片，2025年底預計增加至17萬片，提升幅度超過40%。而SK海力士在同期的月產能提升比例預估為25%。但由於廠商產品尚未完全通過驗證，產能提升規劃是否能落實有待觀察。吳雅婷表示，從過去HBM3與HBM3e世代的量產歷程來看，當時8層產品的良率至少歷經兩個季度的學習曲線才達到穩定，有鑑於此，當市場需求快速轉向HBM3e12層產品時，推測學習曲線也無法明顯縮短。此外，輝達(NVDA-US)B200/GB200和超微(AMD-US)MI325/MI350都將採用HBM3e12層，由於整機造價高昂，對HBM的穩定度要求將更嚴苛，成為HBM3e12層量產過程的一項變數。TrendForce預估，受AI平台積極搭載新世代HBM產品帶動，2025年的HBM需求位元將有逾80%落在HBM3e世代產品上，其中12hi的占比將超過一半，成為明年下半年AI主要競爭廠商爭相下訂的主流產品，其次則是8hi。因此，即便出現供過於求情況，推測最有可能發生在HBM2e、HBM3等舊世代產品上，至於對各DRAM供應商的影響程度，將取決於各家的產品組合。目前TrendForce對DRAM產業展望維持不變，預估2025年HBM將可貢獻10%的DRAM總位元產出，較2024年成長一倍。由於HBM平均單價高，估計對DRAM產業總市值的貢獻度將突破30%。
