三星8層HBM3E晶片傳通過輝達測試 Q4開始供貨

《路透社》週三引述消息人士報導，三星電子第五代 HBM3E 記憶體晶片的 8 層版本已經通過輝達 (NVDA-US) 的測試。

三星電子一直致力於追趕南韓競爭對手 SK 海力士，希望提供能夠處理生成式人工智慧 (AI) 工作的先進記憶體晶片。

消息人士稱，三星電子和輝達尚未就 8 層 HBM3E 記憶體晶片簽署供應協議，但很快就會簽署，預計第四季開始供應。

然而，消息人士稱，12 層版本的 HBM3E 記憶體晶片尚未通過輝達的測試。

截稿前，三星和輝達均拒絕置評。

《路透社》5 月報導，消息人士稱，三星自去年以來一直在尋求透過輝達對 HBM3 和 HBM3 的測試，但由於熱量和功耗問題而陷入困境。

消息人士透露，該公司此後重新設計了 HBM3E 設計以解決這些問題。三星在 5 月路透社報導發表後回應，有關其晶片因發熱和功耗問題而未能通過輝達測試的說法是不真實的。