擊退美光!SK海力士成功研發238層NAND快閃記憶體

擊退美光!SK海力士成功研發238層NAND快閃記憶體 (圖片:AFP)
擊退美光!SK海力士成功研發238層NAND快閃記憶體 (圖片:AFP)

南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 週二 (2 日) 宣布已成功研發出其最先進的 238 層 NAND 快閃記憶體晶片,計劃明年上半年開始大規模量產。

SK 海力士於美國聖塔克拉拉舉行的 2022 年快閃峰會上宣布,公司已向客戶交付 238 層 NAND 快閃記憶體晶片的樣品,這是全球層數最高、同時也是面積最小的 NAND 產品,將顯著提高生產力、數據傳輸速度和電源效率,以確保全球頂級競爭力。

SK 海力士推出全球首款 238 層 NAND 快閃記憶體晶片 (圖片:AFP)
SK 海力士推出全球首款 238 層 NAND 快閃記憶體晶片 (圖片:AFP)

與 SK 海力士 (000660-KR) 上一代產品相比, 238 層 NAND 晶片的傳輸數據速度提升 50%,數據消耗的能量降低 21%,比美光近期推出的 232 層 NAND 晶片堆疊層數更高。

SK 海力士 NAND 研發負責人 Jungdal Choi 稱:「我們將不斷創新,尋找技術挑戰的突破。」

SK 海力士近期在第二季財報會議上指出,儘管目前 DRAM 的平均售價 (ASP) 走低,但成本下降足以彌補 ASP 變化,公司將在年內完成 238 層 NAND 試產,將於 2023 年上半年開始大規模量產。

SK 海力士 2020 年 10 月宣布以 90 億美元收購英特爾 NAND 事業,包含英特爾的 NAND SSD 業務、NAND 元件與晶片業務,以及位於中國大連的 NAND Flash 晶圓廠。

英特爾 NAND 事業被 SK 海力士收購後更名為 Solidigm,助力 SK 海力士拿下全球 NAND Flash 市佔率的 18%,僅次於三星的 35.3% 和鎧俠的 18.9%。


鉅亨AI投組

根據標的評分機制自動配置,使用AI優化效率前緣,創造高報酬率的投組。

try AI optimize

投資本金$10,000收益

AI優化後報酬率

0.00%

$10,000

原投組報酬率

0.00%

$10,000

投組標的成分

    延伸閱讀

    相關貼文

    prev icon
    next icon