〈觀察〉SiC材料需求大增 6吋仍可望扮主流

矽晶圓示意圖。(圖:AFP)
矽晶圓示意圖。(圖:AFP)

電動車市場起飛,催生對第三代半導體材料需求爆發,上游材料 SiC(碳化矽) 基板製程複雜、技術門檻高,儘管國際 IDM 大廠 8 吋發展進度超乎預期,不過台廠仍看好,至少未來 5 年,6 吋 SiC 基板都將扮演主流角色。

SiC 材料近來備受市場關注,受限成本過高,加上是堅硬、易碎的非氧化物陶瓷材料,長晶時間長,加工製造過程困難,成為 SiC 上游材料放量卡關的因素。

隨著電動車市場爆發,對高頻、高功率、高電壓、高溫特性的 SiC 材料需求殷切,但因製程難度高,目前全球 SiC 晶圓主流尺寸僅推進至 6 吋,每片晶圓能製造的晶片數量不大,仍不足以滿足終端需求。

國內目前擁有相關產能的廠商,包括環球晶 (6488-TW)、嘉晶 (3016-TW),環球晶 6 吋 SiC 基板已開始出貨,明年並規劃往磊晶發展;嘉晶則是出貨 6 吋 SiC 磊晶,但在市場供應不足下,近來基板取得上也面臨挑戰。

由於製造碳化矽晶圓原料多需從國外進口,且目前擁有 SiC 晶圓量產能力的 Wolfspeed、羅姆半導體等 IDM 廠,包括長晶、加工製程等設備均是自行開發,再者,越來越多國家視碳化矽材料為戰略性資源,採取出口管制,對台廠原料及相關設備取得上造成很大壓力。

也因此,台廠積極佈局 6 吋 SiC 基板與磊晶之際,國際 IDM 大廠如意法半導體,已進展至 8 吋。

對此,漢磊認為,即便目前能供應 6 吋產能、可是真正進到基板量產階段的廠商都不多,且 8 吋難度更高,預估要成熟量產的時間,至少還要 2-3 年,看好至少 5 年內,6 吋 SiC 都會扮演主流角色,且就算 8 吋市場放量,6 吋還是具一定程度競爭力。


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