〈漢民集團法說〉漢磊、嘉晶大擴產 SiC產能將大增7倍以上

漢磊、嘉晶化合物半導體大擴產 未來2-3年將投入上看40億元。(圖:AFP)
漢磊、嘉晶化合物半導體大擴產 未來2-3年將投入上看40億元。(圖:AFP)

漢民集團旗下漢磊 (3707-TW) 與轉投資磊晶廠嘉晶 (3016-TW) 今 (15) 日共同召開線上法說,並宣布將啟動擴產,未來 2-3 年共將投入約 1.2 億至 1.5 億美元 (約合新台幣 33 至 41 億元),大舉擴增 SiC、GaN 產能,屆時兩家公司 SiC 產能均可望較目前成長 7 倍。

漢磊、嘉晶董事長徐建華表示,看好未來 5G、電動車、綠能等應用,帶動化合物半導體需求持續成長,決定啟動擴產。

嘉晶目前 SiC 月產能 600 片,GaN 約 2000 片,明年資本支出預估 1800-2200 萬美元;其中 SiC 產能將增加 5-10%,嘉晶並預計未來 2-3 年投入 4000-5000 萬美元擴產,屆時 SiC 產能將增加 7-8 倍,GaN 則會成長 2-2.5 倍。

漢磊目前 SiC、GaN 月產能約當 6 吋各約 1000 片,明年資本支出規劃 3500-4500 萬美元,SiC 將提升 3 倍至 3000 片,GaN 則將擴增至 2000 片。

漢磊也計畫未來 2-3 年投入 8000 萬至 1 億美元資本支出,主要用於擴產 SiC,屆時產能將達目前的 5-7 倍。


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