〈世界法說〉GaN製程進度符預期 明年下半年放量

GaN製程進度順利符預期 明年下半年可望放量。(圖:AFP)
GaN製程進度順利符預期 明年下半年可望放量。(圖:AFP)

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 今 (3) 日召開法說,對於氮化鎵 (GaN) 製程進度,世界先進表示,第四季到明年 1 月將有不同客戶新品設計定案 (tape-out),進度符合預期,最快明年下半年可望放量。

世界先進與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作,開發可做到 8 英寸的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST。

世界先進全球業務及規劃副總經理陳姿鈞表示,今年底前可望完成所有客戶技術認證,第四季到明年上半年間,可望陸續有不同客戶產品設計定案,目前進度符合預期且正面看待。

陳姿鈞也說,最快要明年下半年 GaN 相關產品才會放量,營收貢獻初期估個位數占比。

GaN 屬於新材料,效能、可靠度等均需要長時間驗證,在 5G 高頻功率元件中,扮演重要角色,被看好未來將大量應用於車聯網、電動車、5G 基地台供電模組等領域,世界先進也因此積極佈局 GaN 製程。


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