看好SiC與GaN前景 環球晶攜手交大成立研究中心

環球晶董事長徐秀蘭。(鉅亨網資料照)
環球晶董事長徐秀蘭。(鉅亨網資料照)

矽晶圓大廠環球晶 (6488-TW) 看好第三代半導體材料碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 未來前景,今 (22) 日與交通大學簽署備忘錄,共同合作成立化合物半導體研究中心,透過產學合作模式,攜手研發第三代半導體材料,以利快速建構台灣化合物半導體產業鏈。

看好第三代半導體材料市場發展潛力,許多大廠積極佈局化合物半導體。環球晶在碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 深耕多年,已開發多項專利,生產技術精湛,並具有完整生產線,因此,決定與交通大學在化合物半導體展開合作,串連各自專業領域與技術優勢,加速前進。

環球晶將與交通大學合作成立化合物半導體研究中心,透過產學合作模式,攜手研發第三代半導體材料,包含、但不限於 6 至 8 吋 SiC 和 GaN 技術開發,支持晶體成長、提供高性能元件應用所需,以快速建構台灣化合物半導體產業鏈,並盼能成為世界頂級的半導體 SiC 晶圓和 GaN 晶圓供應商之一。

交通大學代理校長陳信宏表示,SiC 和 GaN 是非常具發展前景的半導體材料,在 5G、電動車、太陽能發電、功率發電應用上,是最重要的成功關鍵,台灣在此領域必須積極擘劃快速佈局,才能與世界接軌,並在全球市場占有一席之地。

交通大學結合多所學校相關研究教授群,以化合物半導體材料研究和人才培育計畫為主軸,與環球晶共同努力加速開發 SiC 和 GaN,建立產學互饋循環機制,並培育國際級研發團隊,以提升台灣半導體產業在全球的競爭力。


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