看好SiC與GaN前景 環球晶攜手交大成立研究中心

矽晶圓大廠環球晶 (6488-TW) 看好第三代半導體材料碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 未來前景，今 (22) 日與交通大學簽署備忘錄，共同合作成立化合物半導體研究中心，透過產學合作模式，攜手研發第三代半導體材料，以利快速建構台灣化合物半導體產業鏈。

看好第三代半導體材料市場發展潛力，許多大廠積極佈局化合物半導體。環球晶在碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 深耕多年，已開發多項專利，生產技術精湛，並具有完整生產線，因此，決定與交通大學在化合物半導體展開合作，串連各自專業領域與技術優勢，加速前進。

環球晶將與交通大學合作成立化合物半導體研究中心，透過產學合作模式，攜手研發第三代半導體材料，包含、但不限於 6 至 8 吋 SiC 和 GaN 技術開發，支持晶體成長、提供高性能元件應用所需，以快速建構台灣化合物半導體產業鏈，並盼能成為世界頂級的半導體 SiC 晶圓和 GaN 晶圓供應商之一。

交通大學代理校長陳信宏表示，SiC 和 GaN 是非常具發展前景的半導體材料，在 5G、電動車、太陽能發電、功率發電應用上，是最重要的成功關鍵，台灣在此領域必須積極擘劃快速佈局，才能與世界接軌，並在全球市場占有一席之地。

交通大學結合多所學校相關研究教授群，以化合物半導體材料研究和人才培育計畫為主軸，與環球晶共同努力加速開發 SiC 和 GaN，建立產學互饋循環機制，並培育國際級研發團隊，以提升台灣半導體產業在全球的競爭力。