前美光員工竊密投靠遭判刑 聯電遭罰1億元將提起上訴

聯電遭控協助中國晉華竊取美國記憶體大廠美光(Micron)DRAM製程。(圖:取材自聯電官網)
聯電遭控協助中國晉華竊取美國記憶體大廠美光(Micron)DRAM製程。(圖:取材自聯電官網)

晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 遭控協助中國晉華竊取美國記憶體大廠美光 (Micron)DRAM 製程案,台中地院今 (12) 日下午宣判,依違反營業秘密法等罪,判刑聯電前員工何建廷、王永銘,及協理戎樂天,聯電也遭判處罰金新台幣 1 億元。對此,聯電強調,並未違反營業秘密法,將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。

何建廷、王永銘原先在台灣美光任職,離職時帶走機密文件至聯電任職,與戎樂天成功研發 DRAM 製程,台中地檢署 2017 年依違反《營業秘密法》起訴聯電公司、戎樂天,及何建廷、王永銘,2018 年美國司法部也依經濟間諜等罪,起訴聯電、晉華、何建廷、王永銘及曾任台灣美光總經理、聯電副總的晉華總經理陳正坤。

台中地院經 2 年 9 個月審理,全案今日下午宣判,依違反營業秘密法等罪,判刑何建廷 5 年 6 月,併科罰金 500 萬;王永銘 4 年 6 月,併科罰金 400 萬;戎樂天判刑 6 年 6 月,併科罰金 600 萬;聯電被判處罰金新台幣 1 億元,可上訴智慧財產法院。

聯電對此回應,本次 DRAM 製程技術研發,是政府投審會事先核准之專案,並為聯電以自有技術為出發點,由 300 多位工程師組成的研發團隊 (其中多數為聯電經驗豐富的研發人員) 通力合作,耗時超過 2 年自主開發 DRAM 製程,且保留相關研發紀錄。

聯電強調,並未違反營業秘密法,並將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。在上訴審中,將提出本案調查及審理過程中諸多違反刑事訴訟法規定的可議之處,如偵訊過程中有不當誘導訊問;對聯電有利的陳述未能詳實記載於調查筆錄中;電磁及其他證據在鑑識上不符規定等。


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