邏輯晶片尺寸持續擴大 推升半導體設備需求

在 2019 年記憶體相關投資大幅下跌之後，市場預期 2020 年新記憶體容量投資將急劇增加。受邏輯半導體製造商之間的競爭所推動，邏輯晶片尺寸持續擴大，新設備相關需求也推動了 EUV 光刻機的量產，為半導體設備產業帶來更多的動能。

展望 2020 年，相對 2019 年的下跌，記憶體設備投資預期將會有所增加。考量到近期記憶體供需狀況的改善，除非相關投資能在今年第二季有所回升，否則 2021 年恐將面臨記憶體供應嚴重短缺。因此，主要記憶體製造商預期將在今年下半年加大投資。

《Business Korea》報導，三星電子 DRAM 記憶體容量將以 50k wpm 的速度增長，而 NAND 則將以 85k wpm 的速度增長，SK 海力士的 DRAM 的記憶體容量將以 30k wpm 的速度增長，從這些數據來推斷，主要的記憶體設備製造商有可能在 2020 年創下有史以來最強勁的獲利。

另一方面，晶片尺寸的增加，以及 EUV 光刻技術引入 DRAM 製程中，也有利於半導體設備產業。在邏輯晶片製造商之間的競爭推動下，邏輯晶片的尺寸持續擴大。基於固定容量，隨著晶片尺寸的增加，晶片出貨量將會下跌，也將推動容量相關投資。2020 年，英特爾 (INTC-US) 計畫投資 170 億美元，使產能年增 25%。台積電 (2330-TW) 也計劃進行 150 億美元的投資，較 2018 年增加 50%。

新創獨角獸公司 Cerebras 日前推出了全球最大的電腦晶片 - 晶圓級引擎 (Wafer-Scale Engine，WSE)，標誌半導體產業的重要里程碑，晶片尺寸的大幅度增加也將提高 AI 運算能力，WSE 晶片是由台積電 16 奈米製程打造的 300mm 晶圓切割而成。

近期 5 奈米邏輯晶片和 1Z 奈米 DRAM 製程引入 EUV 設備也將使半導體設備產業受益。台積電如今正在引入 4 至 5 層 EUV 光罩層，用在包括 5 奈米 EUV 光刻技術、孔洞陣列 (hole arrays) 等。