跌價與位元出貨增長相抵銷 NAND Flash廠Q2營收持平上季

三星NAND Flash晶片。(圖:AFP)
三星NAND Flash晶片。(圖:AFP)

據研調機構 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 調查,受惠電子產品需求有所復甦,第 2 季 NAND Flash 整體產業位元消耗量成長約 15%,但由於供應商存貨仍高,第 2 季合約價跌幅仍相當顯著,整體產業營收仍維持約 108 億美元的水準,較第一季基本持平。

展望第 3 季,雖然預期旺季需求有助出貨表現,但受地緣經濟衝突影響,需求表現恐較往年疲弱,但從供給面來看,NAND Flash 受到東芝 6 月跳電事件衝擊影響,第 3 季合約價跌幅明顯收斂,而 Wafer 市場則呈現漲勢,預估整體營收較第 2 季成長可能性較高。

從產能來看,今年以來三星產能規劃皆無太大改變,產能縮減部分皆以 Line12 的平面製程為主,3D NAND 整體投片規模與第 1 季相當。SK 海力士宣布整體 NAND 投片量將年減 15%,主要在於平面製程的縮減,因應需求轉向較低成本的 3D NAND。新廠 M15 的整體 3D NAND 投片量會緩慢增長,並以 TLC 架構為主,今年內 SK 海力士無量產 QLC 產品的打算。

東芝記憶體四日市廠區受停電事件衝擊影響顯著,雖然產線大致於 7 月中旬前恢復,對整體市場供給影響仍大,約占全體年產出的 3%。威騰電子決定上半年進行減產,受到四日市廠區跳電事故的影響,產能損失幅度約為 6 ExaBytes,截至 7 月底前產線已大致恢復。

美光第 1 季以宣佈較先前生產計劃減少 5%,第 2 季更進一步擴大至 10%,3D NAND 的產出比重仍將維持 90% 以上。英特爾第 1 季暫停後續在大連廠的擴產規劃,預估到年底間都不會擴產,目前在出貨比重上仍以 64 層產品為主力,除逐步推進客戶使用 96 層產品外,也積極導向採用高容量產品。
 


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