〈觀察〉記憶體現貨價反彈 二因素決定價格能否續揚

三星NAND Flash晶片。(圖:AFP)
三星NAND Flash晶片。(圖:AFP)

記憶體市場去年下半年起進入景氣修正期,近來受日韓貿易戰影響,加上大廠減產效應發酵,供給端獲改善,DRAM、NAND Flash 價格紛紛喊漲,不過,雖然短期內供給縮減預期心理,帶動價格止跌反彈,但價格漲勢要有支撐,仍得視大廠庫存去化程度,及第 3 季電子業旺季市場需求力道。

DRAM 由於庫存水位較 NAND Flash 來得低,大廠美光先前已宣布減產 5%,加上近來日韓貿易戰消息激勵,現貨報價開始上漲,據研調機構集邦科技旗下 DRAMeXchange 數據顯示,上周三 (10 日)8GB DDR4 DRAM 均價較前一天上漲 1.2%,是去年 9 月來,現貨價首次上漲。

DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 總經理李培瑛也預期,DRAM 現貨價有可能先上漲,惟仍有許多因素待觀察,第 3 季整體合約價料將持續走跌,但跌幅將縮減,由於客戶端庫存已降低,供應商庫存仍偏高,因此,價格跌幅縮減程度的關鍵,在於大廠的庫存去化程度。

NAND Flash 方面,先前許多大廠也相繼宣布減產,減產效益逐步發酵,加上 東芝記憶體發生停電事件,第 3 季出貨量減少,美光也宣布減產幅度由 5% 上調至 10%,加上日韓貿易爭端,市場對供給面可能缺貨的憂慮提升,促使近期 NAND Flash 報價彈升,7 月以來,現貨價漲幅已逾 1 成,且後市報價持續看漲。

記憶體大廠旺宏 (2337-TW) 董事長吳敏求也認為,在日本政府對半導體關鍵材料出口韓國祭出限令下,短期內雖有庫存可供給需求,長期來看一定會造成缺貨,估在限令實行的 3 個月後,NAND Flash 市場將會「極度」混亂,在供不應求的情況下,台廠、及其他非韓廠的記憶體廠商,將會因此受惠。

雖然近期 DRAM 與 NAND Flash 現貨價均喊漲,但市場不確定因素仍多,上游大廠庫存去化程度,及終端消費買氣回籠力道,將成為長期價格能否維持揚升態勢的關鍵。


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