〈觀察〉記憶體現貨價反彈 二因素決定價格能否續揚

記憶體市場去年下半年起進入景氣修正期，近來受日韓貿易戰影響，加上大廠減產效應發酵，供給端獲改善，DRAM、NAND Flash 價格紛紛喊漲，不過，雖然短期內供給縮減預期心理，帶動價格止跌反彈，但價格漲勢要有支撐，仍得視大廠庫存去化程度，及第 3 季電子業旺季市場需求力道。

DRAM 由於庫存水位較 NAND Flash 來得低，大廠美光先前已宣布減產 5%，加上近來日韓貿易戰消息激勵，現貨報價開始上漲，據研調機構集邦科技旗下 DRAMeXchange 數據顯示，上周三 (10 日)8GB DDR4 DRAM 均價較前一天上漲 1.2%，是去年 9 月來，現貨價首次上漲。

DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 總經理李培瑛也預期，DRAM 現貨價有可能先上漲，惟仍有許多因素待觀察，第 3 季整體合約價料將持續走跌，但跌幅將縮減，由於客戶端庫存已降低，供應商庫存仍偏高，因此，價格跌幅縮減程度的關鍵，在於大廠的庫存去化程度。

NAND Flash 方面，先前許多大廠也相繼宣布減產，減產效益逐步發酵，加上 東芝記憶體發生停電事件，第 3 季出貨量減少，美光也宣布減產幅度由 5% 上調至 10%，加上日韓貿易爭端，市場對供給面可能缺貨的憂慮提升，促使近期 NAND Flash 報價彈升，7 月以來，現貨價漲幅已逾 1 成，且後市報價持續看漲。

記憶體大廠旺宏 (2337-TW) 董事長吳敏求也認為，在日本政府對半導體關鍵材料出口韓國祭出限令下，短期內雖有庫存可供給需求，長期來看一定會造成缺貨，估在限令實行的 3 個月後，NAND Flash 市場將會「極度」混亂，在供不應求的情況下，台廠、及其他非韓廠的記憶體廠商，將會因此受惠。

雖然近期 DRAM 與 NAND Flash 現貨價均喊漲，但市場不確定因素仍多，上游大廠庫存去化程度，及終端消費買氣回籠力道，將成為長期價格能否維持揚升態勢的關鍵。