英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其後

在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯晶片製造工藝中的新技術。

MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取記憶體)，是一種非易失性記憶體技術，從 1990 年代開始發展。此技術速度接近靜態隨機記憶體的高速讀取寫入能力，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低於 DRAM，而且基本上可以無限次地重複寫入。

英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術可在 200 攝氏度下實現長達 10 年的記憶期，並可在超過 106 個開關週期內實現持久性。並且英特爾在其 22 FFL 工藝中，描述 STT-MRAM (基於 MRAM 的自旋轉移力矩) 非易失性記憶體的關鍵特性。英特爾稱之其為「首款基於 FinFET 的 MRAM 技術」。

這項技術可相當於「生產準備就緒」的階段，英特爾並沒有向任何代工客戶透露該流程資訊，但從多個訊息源來看，目前正在出貨的商品中已經採用這項技術。

至於三星也稱其 8Mb MRAM 的續航能力為 106 次，記憶期為 10 年。而三星技術最初將用於物聯網應用。三星研發中心首席工程師 Yoon Jong Song 表示，在將其用於汽車和工業應用之前，可靠性必須提高。三星已成功將技術從實驗室轉移到工廠，並將在不久的將來商用化。

三星並在 28nm FDSOI 平臺上宣稱，在可擴展性、形狀依賴性、磁性可擴展性等方面來衡量，STT-MRAM 目前被認為是最好的 MRAM 技術。

記憶體新星 MRAM

隨著記憶體產業朝向更小的節點轉變，在技術上面臨著嚴峻的可擴充性挑戰。MRAM 除了被視為能夠取代傳統記憶體晶片 DRAM 和 NAND 的候選人，還被視為一項充滿吸引力的嵌入式技術，可以替代快閃記憶體和嵌入式 SRAM。

主要在於它具有快速讀取寫入時間，高耐用性和優秀的保留性。嵌入式 MRAM 被認為特別適用於例如物聯網 (IoT) 設備之類的應用，也趕搭上 5G 世代的列車。

隨著製造成本下降以及其他記憶體技術面臨可擴展性挑戰，嵌入式 MRAM 正獲得更多消費性產品的關注。重要的是，隨著新工藝技術的發展，SRAM 單元的尺寸不會隨著剩餘的工藝而縮小，從這點來看，MRAM 變得越來越有吸引力。