DRAM超夯！外資：小心三星擴產、重演2015年慘況

MoneyDJ 新聞 2016-09-23 15:09:19 記者 陳苓 報導

記憶體供貨吃緊，價格噴發，先前韓媒預估，廠商製程轉換將使產能減少，明年下半可能還有一波新行情。對此外資警告，DRAM 榮景能否持續，取決於記憶體龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續。

巴倫 (Barronˋs)23 日報導，六月以來 PC DRAM 現貨價大漲 30%，光是過去兩週就飆升 9%；NAND Flash 也供不應求，價格挺升，記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 和美光 (Micron) 股價都因此一飛衝天。記憶體市場還能熱多久？Bernstein Research 的 Mark Newman 說，一切要看三星。

Bernstein 報告稱，要是 DRAM 獲利提高到誘人地步，三星可能會增產，一如該公司在 2014、2015 年所做。他們估計，三星 DRAM 毛利將拉高至 58~59% 的高點，類似 2014/15 年，屆時三星應會在 17 號產線或新落成的平澤廠等閒置廠房增加產能，如此一來，市場將從供不應求，轉為平衡，甚至在 2017 年中或年末時，演變為供給過剩。

報告指出，未來幾個月，DRAM 類股仍會有好表現。不過供給緊俏、三星有巨大成本優勢，又有閒置廠房可提升產能，預期三星可能會增加 3D NAND 和 DRAM 產出。

與此同時，SK 海力士股價從五月中低點大漲逾 50%，JP Morgan 的 JJ Park 建議應該獲利了結。他說就算 DRAM 價格維持高檔，SK 海力士需要砸錢蓋廠房，生產 3D NAND，毛利會受衝擊，不看好未來股價表現。

SK 海力士 22 日下跌 0.13% 收在 39,350 韓圜。今年迄今飆漲 27.97%。

明年下半 DRAM 供給可能會供不應求，記憶體廠商轉進 20 奈米製程的產能損失，或許會讓 DRAM 陷入供給短缺，炒熱新行情。

韓媒 BusinessKorea 12 日報導，半導體和投資銀行的業界消息指出，2017 年 DRAM 需求預料將年增 19.3%，不過 2017 年 DRAM 每月產量將減少 2 萬組，從當前的 105 萬組、2017 年降至 103 萬組，主要是製程轉換造成產能減少。不僅如此，產程轉換的供給成長率以往大約是 30%，2017 年成長率可能減至 10%，加劇供給不足問題。

據了解，明年上半年是淡季，DRAM 可能會略為供給過剩。不過隨著美光 (Micron)、SK 海力士 (SK Hynix) 轉進 20 奈米，產出減少；下半年傳統旺季到來時，業者又未增加投資，DRAM 將由供給過多變為供給不足。

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