海力士半導體開發采用20毫微米半導體技術的NAND閃存芯片

海力士半導體表示，其已開發了一種采用20毫微米半導體技術的容量為62千兆字節的閃存記憶芯片，并計劃自三季度大規模生產該芯片。

綜合外電2月9日報道，海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc)9日表示，該公司已開發了一種采用20毫微米半導體技術的閃存記憶芯片，其容量為62千兆字節。

這家以收入計算排名全球第二大的記憶芯片制造商表示，該公司將從三季度起開始大量生產這種芯片。

海力士半導體公司2009年8月曾表示，該公司已開發了一種采用30毫微米半導體技術的閃存記憶芯片，容量為32千兆字節。

鑒于芯片市場正在改善，海力士半導體公司于12月表示，該公司將于2010年投資2.3萬億韓圓以加快芯片開發，并擴大現有芯片NAND的生產，此外，該公司還計劃將NAND產量翻番。

(武穎 編譯)

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