綠能晶片蝕刻技術獲台灣專利肯定 正進一步申請海外專利

太陽能多晶片大廠綠能科技(3519-TW)的高階矽晶圓切割技術再獲專利肯定。由綠能為使新世代鑽石切割晶片效率最佳化並創「蝕刻液與矽基板表面粗糙化方法」，已獲得國內發明專利許可，運用此一專利技術將使綠能高階晶片效率再提升。

綠能科技表示，綠能濕蝕刻技術配合鑽石線切割，預估最高可提升晶片轉換效率達0.4%；使綠能高效晶片，搭配電池PERC技術，最高效率可達19.5%，平均效率達18.4%。

同時，加上綠能新開發之140um鑽石切割製程，矽料耗損率可再降10%。依據設備導入時間與電池端製程搭配技術估算，濕蝕刻技術在2017年可陸續導入供應鏈製程。

綠能科技積極研發下世代濕蝕刻與乾蝕刻製程，其所獲此項專利研發，以獨特配方比例調製蝕刻液，並搭配精確控制的晶片溫度與蝕刻時程，使矽晶片表面均勻粗糙化，避免晶片黑化，並移除損傷層。蝕刻後晶片，接續沖洗與乾燥製程，廢料並同步在製程上回收。

綠能科技「蝕刻液與矽基板表面粗糙化方法」除獲得到台灣專利許可，並已在中國大陸專利審查程序中，預估將可進一步獲得認可。綠能科技將開發更多高效率與製程專利技術，以持續在國際市場的高階競爭優勢

綠能科技指出，目前太陽能矽晶切片製程多以銅線搭配切削液為主，而鑽石切割線在耐用度與生產力上表現佳，預期可成為下階段主要製程之一。綠能科技因此雙向並進，除在銅線切片獲專利切割與研磨技術外，也同步研發新世代鑽石切割技術。