傳長鑫存儲進軍NAND快閃記憶體市場 迎戰三星與長江存儲

據《路透》引述知情人士報導，中國動態隨機存取記憶體(DRAM)龍頭長鑫存儲(長鑫科技)正準備進軍由三星電子、SK海力士等外商主導的NAND快閃記憶體市場。

此舉除了能開闢核心DRAM業務以外的新市場並擴大客戶群外，也意味著長鑫將在中國國內與長江存儲展開正面交鋒。

知情人士透露，長鑫存儲計畫在其北京新廠建立NAND快閃記憶體研發生產線，並設立研究院進行相關開發；此外，長鑫已與客戶展開討論，包含一家擬採購晶片用於人工智慧(AI)系統與超級電腦的新創公司。

當前AI伺服器的強勁需求引發全球記憶體缺貨，業界普遍認為這波供不應求將至少持續至2027年。針對供應鏈前景，SK海力士執行長郭魯正於7月表示，從供應角度來看，2027年將是業界最嚴峻的一年。

研調機構TrendForce分析，記憶體大廠大多將主要資金投放於DRAM與高頻寬記憶體(HBM)，限制了NAND快閃記憶體的產量，進而加劇短缺；不過TrendForce預計，NAND的供應緊張狀況有望於明年下半年緩和。

依據TrendForce數據，今年第二季全球NAND快閃記憶體市場由三星電子以29.3%的市占率領跑，SK海力士與美光科技緊隨其後。目前尚不清楚長鑫存儲的研發生產線何時開工，也無法確定是否會邁向大規模商業化量產，長鑫存儲與長江存儲對此均未回應媒體置評請求。