NAND
歐亞股
外媒最新報導指出，南韓化工企業 PKC 宣佈將半導體用高純度氯氣 (Cl₂) 產能提升 50%，年產能由 1400–1500 噸增至 2100–2200 噸，投資規模達數百億韓元。南韓媒體《THE ELEC》周四 (28 日) 報導，PKC 此次擴產是跟三星電子協同推動，因 NAND 快閃記憶體向 300 層演進及 GAA、FinFET 等先進製程帶動氯氣需求激增，且三星已要求將高純度氯化氫 (HCl) 供應範圍擴大至 NAND 與代工全流程。
美股雷達
美光科技 (MU-US) 正將 AI 驅動的記憶體需求熱潮，轉化為一場橫跨五大洲的產能擴張行動。受強勁業績展望激勵，美光股價週二（26 日）暴漲 19%，市值叩關 1 兆美元大關，並以歷史收盤新高作收，創下今年來第 28 個歷史峰值。管理層同步預警，記憶體市場供給偏緊的局面將延續至 2026 年以後，並正加速推進全球建廠計畫，大部分新產能預計從 2027 年起陸續投產，擴張版圖一路延伸至 2030 年，涵蓋 DRAM、HBM 及 NAND 多條產品線。
美股雷達
美光科技股價週二 (26 日) 暴漲 19%，市值首次突破 1 兆美元，成為美國第 12 家市值達到 1 兆美元的公司，也是首家總部位於愛達荷州的企業。該公司過去一個月已飆漲約 80%。美光股價狂飆也鞏固了這家美國本土最大記憶體晶片製造商的的地位。
A股港股
據 Blocks & Files 報導，在 2026 年 5 月巴黎舉行的華為 ID Forum 活動中，華為展示了其自主研發的 Die-on-Board (DoB) 技術，並基於此技術推出了系列大容量 SSD。報導指出，在美國貿易制裁的背景下，華為難以取得主流供應商 (如三星、美光) 百層以上的 3D NAND 晶片。
歐亞股
三星電子在記憶體堆疊技術上再度寫下里程碑。據南韓業界消息，公司已成功打造出全球首個 900 層級 V-NAND（垂直型快閃記憶體）整合系統原型。這項突破不僅象徵三星正式跨入「千層 NAND 時代」門檻，也在競爭激烈的次世代記憶體戰局中，重新鞏固其技術領先地位。
美股雷達
AI 算力軍備競賽正將全球記憶體晶片市場推向多年期的結構性供應吃緊局面，美光科技 (MU-US) 最新示警，高頻寬記憶體 (HBM)、DRAM 及 NAND 快閃記憶體的供應緊張局面料將遠超 2026 年，核心驅動力來自 AI 應用對高效能記憶體的爆發性需求，而供給端受制於多重技術瓶頸難以快速擴產。
台股新聞
研調機構 TrendForce 今 (25) 日出具最新 NAND Flash 產業調查，2026 年第一季全球各雲端服務供應商 (CSP) 為滿足建置 AI 伺服器基礎設施時的高速傳輸、大容量要求，對 Enterprise SSD 需求呈幾何倍數成長，加上傳統 HDD 結構性缺貨延續，大批訂單轉向 QLC Enterprise SSD。
歐亞股
在三星與 SK 海力士近期雙雙延遲第十代 NAND Flash 量產節點之際，日本鎧俠 (Kioxia) 率先拋出明確的量產時間表，試圖搶佔技術先機。近日，鎧俠正式將第十代 BiCS10 3D NAND 快閃記憶體的量產列為 2026 財年 (2027 年 3 月止) 的首要戰略重點。
歐亞股
中國國產記憶體晶片雙雄近期接連在資本市場展露鋒芒，長鑫科技甫遞表科創板，長江存儲控股股份有限公司隨即在周二 (19 日) 盤後宣布啟動 A 股 IPO 輔導，輔導機構由中信證券與中信建投聯手擔綱，這家總部位於武漢的記憶體巨頭正式踏上衝刺資本市場的征途。
A股
綜合外媒周二 (19 日) 報導，中國記憶體晶片大廠長江存儲 (YMTC) 正式啟動上市前輔導程序，顯示這家被視為中國 NAND Flash 關鍵代表企業，正加速推進首次公開發行 (IPO) 計畫，在全球 AI 熱潮帶動記憶體需求飆升之際，爭取資本市場資金擴產。
台股新聞
群聯 (8299-TW) 今 (19) 日宣布順利完成第一次海外無擔保可轉換公司債 (ECB) 定價，成功募集 8 億美元。本次募集資金將全數用於外幣購料，以支應公司在全球 AI-ecosystem solutions 解決方案業務持續拓展所帶來的資金需求。
歐亞股
南韓科技巨頭三星電子 (Samsung Electronics) 與旗下最大工會的薪資協商進入關鍵時刻，雙方目前正透過政府斡旋試圖避免罷工，但若談判破局，不僅可能衝擊全球記憶體供應鏈，也可能為正值人工智慧 (AI) 晶片熱潮的半導體市場投下變數。
美股雷達
隨著人工智慧（AI）基礎建設持續擴張，記憶體晶片股掀起一波強勁漲勢。在 Sandisk (SNDK-US) 股價一年內狂飆逾 3,000%、年初至今累漲近 500% 之際，市值不足百億美元的慧榮科技 (SIMO-US) 正悄悄成為分析人士眼中的「下一個潛力股」。
台股新聞
記憶體模組廠宜鼎 (5289-TW) 今 (15) 日公告 4 月自結損益，稅後純益達 29.87 億元，年增 4,567%；每股盈餘 31.41 元，不僅單月大賺逾 3 個股本，更是第一季單季獲利的 54%，凸顯漲價效益驚人。宜鼎 4 月營收 66.71 億元，月增 17.6%，年增 583.11%，續創歷史新高。
美股雷達
在人工智慧 (AI) 資料中心需求持續爆發之際，全球記憶體晶片供應鏈再度出現震盪。三星電子 (005930-KR) 勞資談判週三正式破局，市場擔憂全面罷工恐衝擊全球 DRAM 與 NAND 供應，帶動美光科技 (MU-US) 股價強勢飆升，市值首度突破 9,000 億美元大關。
美股雷達
人工智慧（AI）資料中心建設熱潮持續升溫，帶動記憶體晶片需求強勁成長。其中，美光科技 (MU-US) 與 SanDisk (SNDKV-US) 股價過去一年分別大漲 770% 與 4000%，也引發投資人思考到底該持有哪股的疑問。對此，美國財經媒體《The Motley Fool》則認為，兩者擁有不同的風險報酬特性，投資人其實可以同時持有這兩檔個股。
台股新聞
NAND 解決方案大廠群聯 (8299-TW) 今 (13) 日公布 4 月自結損益，單月歸屬母公司淨利達 76.4 億元，年增 6174%，每股盈餘 34.56 元，已是第一季 68.8 元的一半，獲利增幅再跳一階，若加總第一季將達 103.36 元，等同前 4 月就賺進 10 個股本，獲利相當驚人。
歐亞股
花旗預期 SK 海力士 (SK Hynix) 將受益於強勁的大宗記憶體平均售價上升趨勢，以及 2026 年下半年高頻寬記憶體 (HBM) 價格增長優於預期。因預計 2026 年第四季 HBM 定價將按季增 30%，花旗預估 SK 海力士將受益於 HBM 產品組合效應，以及由 Anthropic 近期更新支撐的強勁記憶體定價。
歐亞股
南韓三星電子近日因績效獎金分配失衡爆發激烈勞資衝突，直接導火線在於主要對手 SK 海力士因 HBM 優勢帶來業績爆發，並將年度營業利潤 10% 作為獎金池且廢除上限，今年員工人均獎金預估將突破 320 萬元 (人民幣，下同)，巨大差距引發三星半導體員工強烈不滿，且今年有近 200 名核心員工跳槽。
美股雷達
記憶體晶片族群漲勢持續，即便國際油價走高、美伊衝突疑慮再度升溫拖累整體市場氣氛，記憶體大廠美光 (Micron Technology) 股價周一 (11 日) 盤前仍逆勢勁揚，再度成為半導體族群焦點，反映市場對 AI 熱潮帶動供應吃緊與產業超級循環 (Supercycle) 的樂觀預期持續升溫。