2027年記憶體市況分化 DRAM吃緊、NAND Flash恐反轉向下

TrendForce 最新記憶體產業研究，2027 年記憶體需求維持由 AI 應用主導，DRAM 因 HBM 持續排擠產能、AI 伺服器需求強勁，CPU 所用的記憶體與 HBM 採購動能持續增加，維持供給緊張格局，價格走勢偏強。NAND Flash 在新產能集中釋放、終端消費需求持續走弱的情況下，2027 下半年供給將趨向寬鬆，價格恐面臨修正壓力。

DRAM 供給成長增速不及需求提升速度

TrendForce 表示，為因應 AI 基礎建設擴張帶來的中長期需求，各大 DRAM 原廠已提早啟動產能擴充計畫。短期內，供應商積極提高既有廠區產能，同時加速製程升級、降低產品轉換頻率，以支撐 2026 年整體位元供給擴張。

2027 年儘管有數家供應商規劃新產能陸續投產，但受限於建廠時程、設備移機、原物料等前置作業約束，預計多數新廠投片放量落於 2027 下半年，考量生產週期，顯著的產出貢獻則於 2028 年發酵。

此外，由於 HBM 製造流程所需的晶圓投入遠高於一般型 DRAM(conventional DRAM)，導致新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出。上述因素將限制 2027 年整體 DRAM 位元供給成長幅度，市場供應能力持續緊縮。

從需求面觀察，受惠於北美雲端服務供應商 (CSP) 持續提高資本支出，Intel、AMD 新世代 CPU 平台加速出貨，以及 Agentic AI 逐步商業化，2027 年全球伺服器出貨量年增幅度將較 2026 年的 17% 擴大。加上單機 HBM 搭載容量成長，以及 SOCAMM 等新規格導入，顯著拉升單機記憶體容量，將有助 2027 年 DRAM 需求位元成長維持在高檔。

反觀智慧手機、筆電等消費型終端，因品牌廠轉嫁零組件成本的效應加深，導致整機售價上調、衝擊消費者換機意願，預期 2027 年出貨表現將維持衰退。

TrendForce 指出，2026 年 DRAM 供應與需求位元的差距 (sufficiency ratio) 落在 - 1% 至 - 2% 間，2027 年由於需求增速超越供給成長，供需缺口將進一步擴大。不過，2026 年主要 CSP 資本支出維持在歷史高點，甚至部分業者的現金流出現負值。2027 年記憶體價格若仍處於高檔，於整體 CSP 資本支出的占比將會上升。以上情況會否影響 2027 年 CSP 資本支出的規劃、乃至於記憶體的購入，仍待觀察。

NAND Flash 產能提高促供需結構反轉

2026 年 NAND Flash 原廠主要透過製程升級增加位元供給，由於 AI 伺服器、高容量 enterprise SSD 需求旺盛，供應商持續提高 enterprise SSD 的供給比重，以避免消費端需求平淡可能造成的獲利風險。2027 年隨著各大廠加速轉進至高層數產品，以及新廠產能逐步釋放，預計位元供給的成長幅度將超越 2026 年，市場產出規模迎來顯著擴張。

在需求面，由於伺服器部署需求穩健，CSP 與企業客戶對高速、大容量 enterprise SSD 的採購力道強勁，以 QLC SSD 最甚，將成為支撐 2027 年 NAND Flash 位元需求增長的主力。消費性電子則因終端售價陸續上調，預估買氣仍受壓抑。

2027 年在產能陸續開出、消費性電子需求仍偏弱的情況下，市場供需將迎來結構性反轉，TrendForce 日前已率先提出 2027 年 sufficiency ratio 將轉為正值的看法，供需格局將轉為寬鬆。然而，若 Agentic AI 的普及取得突破性進展，將能再度拉升高速 SSD 的需求，促使整體供需趨近平衡。