聯電新加坡廠矽光子晶圓量產 攜SILITH搶攻1.6T AI光互連商機

聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (14) 日與 SILITH 共同宣布，首批矽光子晶圓在聯電新加坡晶圓廠完成量產。本次結合 SILITH 的矽光子設計與聯電的 12 吋晶圓製造能力，以支援 SILITH 每秒 1.6 太位元 (1.6 terabits per second，1.6T) 的解決方案，滿足 AI 與超大規模資料中心網路對高速 AI 光互連的需求。

聯電表示，此次結合 SILITH 專有的矽光子架構，加上自家的製程整合技術、以及其經驗證的絕緣層上覆矽製造能力，雙方團隊在 18 個月內即完成矽光子平台由開發導入量產的目標。該平台已展現達到量產標準的高良率與高可靠度，並已通過全球領先雲端基礎設施客戶的認證，可進行大量布建。

聯電看好，透過此次合作，雙方共同建立一套可擴充的矽光子製造平台，以支援下世代 AI 基礎設施的發展。

SILITH 技術長 Jason Zhang 表示，AI 正以前所未有的速度推升對光學頻寬的需求，使矽光子成為未來資料中心基礎建設的重要關鍵技術。SILITH 致力打造可擴展的矽光子平台，涵蓋可插拔光模組 (pluggable optics)、共封裝光學 (co-packaged optics，CPO) 以及未來的光學 I/O 架構。透過與聯電合作，結合領先的矽光子創新技術與 12 吋大量生產製造能力，提供新世代 AI 網路所需的效能、可擴展性與成本效益。

聯電資深副總經理洪圭鈞表示，很榮幸與 SILITH 這家領先的矽光子公司合作，共同達成此一重要里程碑。SILITH 在服務領先雲端基礎設施與光網路客戶方面已具備實績；此次成果，也充分展現聯電在矽光子等複雜跨領域技術上的製程整合能力，以及支援客戶規模化量產的實力。

洪圭鈞強調，聯電新加坡廠除具備強大的 12 吋晶圓製造能力外，亦是聯電重要的技術研發據點，促使雙方得以快速完成量產導入。展望未來，聯電將持續強化製造能力，以支援客戶不斷成長的需求，加速下世代光子應用的發展。

除了成功推動首項矽光子客戶產品量產之外，聯電預計於 2027 年正式提供自有 12 吋矽光子平台，供更多客戶進行產品開發與量產導入。

延續 SILITH 每通道 200G 矽光子客製化製程成功商業化的成果，聯電與 SILITH 正擴展其矽光子技術藍圖，以支援下一代每通道 400G 光互連。作為關鍵里程碑，雙方正合作開發每通道 400G 純矽光子平台，採用高速馬赫曾德爾調變器 (Mach-Zehnder Modulator，MZM) 設計架構，實現每通道 400G 的高速傳輸能力，同時維持與 CMOS 相容的製程可製造性、量產擴展性與成本優勢。

除每通道 400G 矽光子技術外，聯電亦正攜手生態系夥伴，開發以鈮酸鋰薄膜 (Thin-Film Lithium Niobate，TFLN) 為基礎的解決方案，以滿足未來超高頻寬光互連需求。結合聯電的先進封裝技術，矽光子與 TFLN 兩大平台將共同支援共封裝光學 (CPO)、光學 I/O 等高度整合架構，協助打造下世代 AI 基礎建設。