鉅亨網記者魏志豪 台北
隨著 AI 運算需求快速攀升，全球通路大廠大聯大 (3702-TW) 旗下詮鼎集團攜手東芝 (Toshiba) 舉辦線上研討會，公司表示，東芝最新的矽基半導體與 SiC 元件產品，為 AI 伺服器、資料中心及工業電源提供高功率密度與高效率設計的新選擇。
東芝聚焦矽基低壓 / 高壓金氧半場效電晶體 (MOSFET) 與碳化矽 (SiC) MOSFET 等產品，並結合高功率應用參考設計，協助工程團隊加速產品開發並縮短研發時程。
大聯大表示，全球能源轉型持續推進，電源技術正朝向更高能效、更高功率密度及更低整體成本發展。面對日益嚴格的能效標準與愈趨緊湊的系統設計空間，功率元件選型與電路拓撲設計已成為影響產品效能的重要關鍵。
台灣東芝電子零組件 FAE 經理葉侑哲 (Peter Yeh) 指出，因應 AI 算力快速成長帶來的高功率密度需求，電源架構正加速朝高壓直流 (HVDC) 方向演進。東芝也已規劃完整的功率元件發展藍圖，結合自有設計與製程能力，全面佈局矽基與 SiC 功率元件產品。
在 40V 及 80V 低壓 MOSFET (LVMOS) 的技術與產品規劃中，東芝正透過新一代製程持續優化導通電阻 (Rds(on)) 表現。近期已上市的 U-MOS11-H 80V 系列產品，其中的 TPM1R408RH 型號產品在 Rds(on) 與閘極電荷 (Qg) 等關鍵指標上展現優異性能，且具備良好的溫度特性與整體效率表現。
針對 600V 及 650V 高壓 MOSFET 產品，DTMOSVI 系列產品提高參雜濃度以降低 Rds(on) 及縮小 Die size，大幅提升效能及競爭力，其 Rds(on)×Qgd 指標已達到業界先進水準。基於 DTMOSVI 600V 平台開發的高速恢復二極體（HSD）系列，相較前一代產品在 Qg、反向恢復電荷 (Qrr) 及高溫損耗等方面皆有顯著改善，進一步提升整體轉換效率。
在備受關注的 SiC 領域，東芝亦公布離散式 SiC MOSFET 產品發展藍圖。下一代溝槽式閘極 MOSFET 將率先推出 QDPAK 封裝，後續並將逐步擴展至更多封裝形式、電壓等級與導通電阻產品系列。
目前東芝已量產的第三代 SiC MOSFET 具備低 Rds(on) & 溫度飄移特性，透過內建蕭特基二極體 (Schottky Barrier Diode，SBD) 抑制晶格缺陷導致的 Rds(on) 漂移，同時縮小晶片尺寸，以達到更好的性能表現及提升產品競爭力。
在晶片技術發展方面，東芝下一代溝槽式 SiC MOSFET 預計可將單位面積導通電阻（Rds(on)×A）較第三代產品降低超過 50%，同時進一步改善 Rds(on)×Qgd 等關鍵效能指標，有望提供更具成本效益的 SiC MOSFET 解決方案。此外，跨導能力提升後，元件可支援 15V 驅動電壓（VGS），顯著提升易用性；第三代 SiC SBD 則可提供業界最低的 Vf(1.2V)，範例中，應用於功率因數校正（Power Factor Correction，PFC）電路，能有效提升整機效率。
為協助工程師快速完成設計驗證並縮短產品上市時程，東芝亦提供涵蓋電源管理與馬達控制的完整參考設計資源，結合最新功率元件與典型電路拓撲，可直接應用於 AI 伺服器電源、資料中心備援電源及工業開關電源等場域。
隨著 AI 算力需求持續攀升，資料中心機櫃功率密度已由過去數 kW 至數十 kW，快速提升至數百 kW 等級，並隨著 800 VDC 架構導入，進一步朝 MW 級 AI rack / rack-scale power system 發展，電源轉換效率與功率密度成為系統設計的重要課題。
此次大聯大詮鼎與東芝攜手舉辦技術研討會，不僅展現東芝在矽基與 SiC 功率元件領域的完整布局與技術實力，也為電源工程師提供更具參考價值的元件選型與設計方向。未來，大聯大詮鼎將持續攜手東芝，以高效率功率元件結合在地化技術支援，協助亞太地區客戶於 AI 伺服器、資料中心及工業電源等應用領域，打造兼具高效率與高可靠性的創新設計。
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