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台股

天虹Q4營運迎全年最高峰 新產能明年Q3開出

鉅亨網記者魏志豪 台北 2023-11-13 19:02

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左至右為天虹執行長易錦良、董事長黃見駱、創辦人羅偉瑞。(鉅亨網記者魏志豪攝)

半導體設備商天虹 (6937-TW) 今 (13) 日舉辦上市前業績發表會,執行長易錦良指出,第四季為自製設備出貨高峰,預計全年營運將優於去年,且為因應客戶訂單,預期明年無塵室面積將再較今年增加 50%,新產能預計明年第三季開出。

天虹成立於 2002 年,經營團隊來自應用材料 (AMAT-US),近年從半導體零組件維修跨足到物理氣相沉積 (PVD)/ 原子層沉積 (ALD) 設備研發製造,也將技術延伸到貼合機 / 分離機 (Bonder/Debonder) 以及去殘膠 (Descum) 設備。

易錦良表示,天虹今年為滿足客戶需求已啟動擴產,無塵室面積較去年增加 50%,預期明年會再較今年增加 50%,產能呈現倍增,看好明年不論是矽基半導體、第三代半導體相關設備銷售都會成長。

天虹今年不畏半導體產業景氣趨緩影響,前 10 月營收 14.27 億元,年增 5.46%,其中,以零備件產品居多,比重 42%,機台產品比重約 37%,其他約 20%;易錦良看好,隨著明年自製設備出貨增加,機台產品營收比重有機會超越零備件。

另外,由於 AI 推動先進封裝需求熱絡,天虹歷經多年耕耘,預期明年將取得些微成果,機台主要應用在矽穿孔 (TSV) 製程,同時也開始著墨矽光子領域,預期待產業起飛後,天虹也可跟著產業成長。

天虹指出,原子層沉積設備 (ALD) 屬於精密的薄膜沉積技術,主要優點包括極高的沉積精度,可達單原子層控制;出色的膜厚均勻性,特別適合三維結構;溫和的製程條件,減少對材料的熱損傷,因此 ALD 成為製造高 K 介電質、金屬閘極和其他關鍵結構的首選技術。






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