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科技

合約價格下跌衝擊 Q1全球DRAM總產值衰退7.5%

鉅亨網記者楊伶雯 台南 2015-05-11 17:00


TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示,第1季DRAM合約均價較上季跌幅達11%,加上筆電市場與智慧型手機步入傳統淡季,全球DRAM產業第1季總產值衰退達7.5%,營收來到120億美元;DRAMeXchange預估2015年DRAM產值預計達512億美元規模,年成長近12%。

DRAMeXchange研究協理郭祚榮表示,受到淡季影響,今年第1季各DRAM廠都呈現營收衰退的走勢,但在製程持續轉進下,毛利並未大幅縮減,整體表現與第4季相比相差不遠。郭祚榮認為,需求面不佳將會影響後續價格走勢,因此DRAM廠在製程轉進與產品比重分配,將今年值得注意的決勝點,DRAMeXchange預估2015年DRAM產值預計來到512億美元規模,年成長近12%。


三星半導體與SK海力士第1季自有品牌記憶體市占率各為43%與27%,韓系廠商合計市占穩占全球市場7成;美系廠商掌握將近22.5%,較上季小幅下滑。除非有新競爭者加入(如中國積極發展自有半導體產業),寡占結構下短期市占比例將不易改變。

從技術面觀察,三星甫進入20nm製程良率表現穩健,預計年底產出量將逼近60%,仍是DRAM廠中的技術領先者;SK海力士在25nm製程加持下,營收雖然受到價格下滑而減少,但製程轉進所帶來成本降低,讓SK海力士有著穩健的獲利;美光集團則因為不少產出比重還在30nm製程下,20nm製程轉進也不如預期,季營收大幅下滑13%。美光如不加速轉進20nm,價格的下跌將會侵蝕更高比重的獲利。

台系廠商部分,南亞科(2408-TW)目前在30nm微縮製程轉進速度順利下,預計產出年末將超過50%,成本下降同時預計獲利也會持穩,20nm製程預計明年才有機會導入量產行列;力晶受到標準型記憶體價格下滑影響,營收衰退7.9%,但25nm製程已進入試產階段,最快年末可以導入量產;華邦電(2344-TW)由於無標準型記憶體產品產出,多以利基型記憶體與行動式記憶體為主,加上整體投片量來到44K滿載,營收僅小幅衰退1.3%。


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