氮化鎵、碳化矽類股風生水起

Wolfspeed 公布財報激勵股價跳空大漲，亦同步推升安森美創歷史新高、意法半導體跟漲，優於預期的財報指引預示著第三類半導體的需求大爆發。

【文／周佳蓉】

多家華爾街券商陸續提高對國際碳化矽領導大廠 Wolfspeed（WOLF.US）的目標價，例如花旗從八五美元提高至一一五美元，摩根史坦利從一○一美元提升至一○六美元，他們會有此動作都是因為 Wolfspeed 公布的第四季業績及財測目標大幅優於市場預期。

半導體材料演化進程

Wolfspeed 近年來進軍電動車應用有成，包括通用、福斯、德爾福集團等電動車動力系統都使用該公司的碳化矽元件，統計近四季度在汽車占比逾七成的設計導入（design-in）營收顯著增至二六億美元，公布的第四季財報營收來到二．二八五億美元，每股虧損○．○二美元，遠小於先前預估的虧損○．一美元，另外公司更上修二○二六年的營收目標展望，較去年底提出的二一億美至少高出三○％，也使市場歡欣慶賀，股價以跳空開高反應，盤中更上漲超過三二％，帶動安森美、意法半導體等股價走高。由於碳化矽（SiC）市場持續供不應求，歐美日各路人馬均在 SiC 領域大舉布局，市占龍頭 Wolfspeed 與第二大的羅姆半導體（Rohm）分別投入十億美元（約三○○億台幣）、一五○○億日圓（約三三○億台幣），Wolfspeed 矽材料及晶圓產能要提升三十倍、Rohm 社長松本功更訂下 SiC 產能提升六倍、誓言成為全球 SiC 龍頭的野心，種種跡象顯示著第三類半導體的長遠發展相當值得期待。

盤點半導體材料的演進，一共可分為三個階段，第一類由矽、鍺材料組成，多應用於需要高度運算的邏輯ＩＣ，第二類半導體則是指砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）的化合物半導體，造就了二十世紀後移動通訊技術和網際網路的快速發展，而第三類半導體又稱「寬能隙半導體」，主流材料碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）則因具備耐高溫、耐高電流的極佳特性，讓科技發展到５Ｇ、電動車等新興應用的同時，對應的功率元件能適應嚴苛環境並保有極佳效能，使市場目光開始轉向第三類半導體。

SiC、GaN 生產成本高

由於 SiC、GaN 的耐受電壓與輸出功率不同，因此在不同場域發揮性能，電壓高於六百伏特的以 SiC 占據優勢，主要應用於重電系統、新能源車領域，SiC 結合 MOSFET 更可耐高達一二○○Ｖ的電壓，而特斯拉率先在 Model 3 納入 SiC 電晶體被視為 SiC 產業的重要里程碑，其後有保時捷、奧迪等品牌陸續推出八○○Ｖ高壓車款，促使 SiC 功率元件滲透率逐年提升，全面替代 Si IGBT 成為逆變器標配，深受車企追捧，不過 SiC 技術仍持續發展中、成本也相對較高。研究指出，SiC 基板約占總成本的五○％、磊晶片占二五％、元件晶圓製造環節占二○％，封裝測試環節占五％，尤其在 SiC 基板供不應求的情況下，儘管國際指標大廠 Wolfspeed、Rohm、排名第三的貳陸（II-VI）等均大動作擴產，擴產規模仍追不上 SiC 終端市場需求增加的速度。（全文未完）

來源：《先探投資週刊》2210 期

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