設計缺陷?高通旗艦晶片仍存高耗能問題 股價挫5%

設計出問題?高通旗艦晶片仍存高耗能問題 股價挫5%(圖:AFP)
設計出問題?高通旗艦晶片仍存高耗能問題 股價挫5%(圖:AFP)

高通 (QCOM-US) 因三星 4 奈米製程良率出現問題導致 Snapdragon 8 Gen 1 效能表現不佳,並將強化版晶片轉單台積電 (2330-TW) ,目前強化版 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 雖然良率明顯改善,但仍出現高功耗的問題,高通恐怕只能被迫降頻,犧牲效能。

南韓科技論壇 Meeco 爆料者表示,交由台積電代工的 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 中 Cortex X2 核心是影響耗能的罪魁禍首,高頻時會出現高耗能現象。

強化版在出現高耗能問題傳出後,高通週三股價下跌 5.18%,報每股 152.73 美元,今年迄今高通總計下跌 17.98%。

市場先前認為,高通新款晶片出現高耗能狀況主要源自三星良率問題,如今高耗能部分可能與公司 ARM 設計架構有關。為了解決高耗能問題,高通增強版恐怕必須降頻,這將使 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 與 Snapdragon 8 Gen 1 之間效能差異可能變得更小。

市場傳言 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 很可能在今年 6 月推出,目前一加 (OnePlus) 10 Ultra、華為 Mate 50、小米 Mix Fold 2 與小米 Xiaomi 12 Ultra 都可能採用。


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