三星電子平澤二廠將於6月啟動 記憶體供給有望增加

三星電子平澤二廠將於6月啟動 記憶體供給有望增加(圖片:AFP)
三星電子平澤二廠將於6月啟動 記憶體供給有望增加(圖片:AFP)

全球半導體晶片短缺情況持續,有報導指出,三星電子 (Samsung) 位在平澤市的新廠生產線最早將於今年 6 月投入運營,有望供應更多晶圓代工的產能,並增加記憶體的生產。

報導中指出,三星電子平澤工廠一廠 (P1) 於 2017 年 6 月開始量產。三星電子隨後於 2018 年破土動工建設平澤二廠 (P2)。新廠已經在 2020 年下半年開始通過極紫外光 (EUV) 光刻設備量產第三代 10 奈米 LPDDR5 行動 DRAM。

除了 DRAM 生產線外,平澤 P2 還將於今年下半年啟動新的晶圓代工產線和下一代 V-NAND Flash 生產線。 三星電子的一位高管表示,平澤 P2 的所有生產線,將按原計劃於 2021 年下半年投入運營。

有業內人士表示:「就我所知,平澤 P2 自 2021 年初以來,持續在提高運作率。」

在先前,有知情人士表示,三星電子正在加速該公司在平澤市的晶圓廠建設,最早將於 9 月份開始動工興建第三廠。三星在平澤市建造的第三條產線名稱為 P3,預期將成為三星電子最大的晶片製造廠,投資金額預估超過 30 兆韓元 (252 億美元)。三星電子也計劃在平澤市再新建三座晶圓廠,總計將有六條晶片生產線。

考量到製造設備的設置和測試時間,業內人士認為,P3 的最快可能在 2023 年下半年開始量產。此外,P3 廠佔地規模預期將大於 P2 廠,預期將生產 DRAM、NAND Flash、系統半導體等。

三星電子曾提出了在 2030 年成為全球第一邏輯晶片製造商的願景,並希望在 3 奈米競賽中能擊敗台積電。該公司也投資了 133 兆韓元來增強在系統 LSI 和代工業務市場中的競爭力。


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