出貨受疫情影響 Q1 DRAM整體產值季減4.6%

價揚惟出貨受疫情影響 Q1 DRAM整體產值季減4.6%。(圖:AFP)
價揚惟出貨受疫情影響 Q1 DRAM整體產值季減4.6%。(圖:AFP)

據研調機構 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 最新調查,第 1 季 DRAM 供應商庫存去化得宜,季末庫存水位已顯著下降,降價求售壓力不再,使整體 DRAM 均價較上季上漲 0-5%,但受肺炎疫情影響,各國祭出封城鎖國政策,導致物流受阻,DRAM 位元出貨量也受影響,第 1 季 DRAM 整體產值衰退 4.6%、為 148 億美元

TrendForce 指出,第 1 季受阻的出貨將遞延至第 2 季,在 DRAM 均價上漲幅度擴大,且出貨量同時提升下,預期第 2 季 DRAM 整體產值將季增超過 2 成,原廠營收與獲利能力將持續成長。

DRAM 第 1 季因疫情導致出貨受阻,價漲量縮,三大 DRAM 原廠第 1 季營收均走跌,三星衰退約 3%、SK 海力士約 4%,美光則約 11%,三大原廠獲利則受惠第 1 季 DRAM 均價上揚,維持成長。

市占率方面,三星約 44.1%、SK 海力士為 29.3%,美光則為 20.8%。由於產能規劃大致相同,TrendForce 預期第 2 季市占不會有太大變化。

觀察各廠產能與技術能力,三星持續將部份產能 (Line13) 由 DRAM 轉向影像感測器 (CMOS),不過平澤二廠預計下半年投入 DRAM 生產,彌補 Line13 投片下滑,同時提高 1Z 製程比重,考量疫情對需求面的衝擊,三星審慎規劃產出,今年產能增加幅度不高。

SK 海力士持續將 M10 廠 DRAM 投片轉向影像感測器,增加 M14 產出,並將於下半年小幅提高無錫廠的產能,但全年產能增幅不高,主要由 1Y 奈米製程比重提升貢獻;美光投片與產能與去年沒有太大改變,今年資本支出將著重 1Z 製程量產與產出提升,目前正值 OEM 積極驗證階段,很快就能導入實際量產。

整體而言,三大原廠先進製程開發與導入雖有遞延,但大致順利,沒有重大品質異常情況發生。TrendForce 指出,今年整體 DRAM 產能沒有明顯成長,資本支出也持續下降,供給位元成長主要來自於 1Y 與 1Z 奈米等先進製程的轉進,並非實質投片增加。

從台廠表現來看,南亞科 (2408-TW) 第 1 季出貨量雙位數成長,營收季增近 10%,營業利益率則由前季的 11% 提升至 12.7%,第 2 季在均價上揚下,獲利能力將持續提升;華邦電 (2344-TW)2 第 1 季量價持平,DRAM 營收變化幅度不大,成長力道以 NAND Flash 較明顯;力晶第 1 季仍以影像感測器需求較強勁,排擠 DRAM 產能,營收小幅下滑 3%。

儘管營收表現分歧,但台廠今年重心都在下一代製程研發,如南亞科宣布不使用美光授權後,專注於 1A/1B 奈米,華邦電持續提升 25 奈米新製程良率和產品多樣性,力晶則專攻 25 奈米 DDR4 產品穩定度與相容性。
 


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