SEMI(國際半導體產業協會)公布「全球晶圓廠預測報告」，下修明年全球晶圓廠設備投資金額為負成長，不過記憶體業者對明年產業展望並未看太悲觀，只是受記憶體價格鬆動、市況反轉影響，業者快速反應市場情況，因此縮小資本投資，導致金額快速下滑，明年整體記憶體資本支出，將較今年減少19%。SEMI在「全球晶圓廠預測報告」中指出，明年全球晶圓廠設備投資金額將下修，由原先的預期成長7%，下修至衰退8%，成為近4年來，全球晶圓廠設備投資額首度出現負成長，而晶圓廠資本投資快速下滑的兩大主因，為記憶體價格下跌、及美中貿易戰導致投資計畫改變。從記憶體價格來看，今年年初NANDFlash價格急遽下滑，DRAM價格也在第4季開始鬆動，研調機構TrendForce旗下DRAMeXchange預測，明年第1季DRAM合約價跌幅恐將持續擴大，NAND也將受到淡季影響，加上市場庫存水位仍高，供過於求情況會更顯著，預估第1季NANDFlash合約價將跌幅可能達到約10%。據SEMI報告指出，記憶體業者紛紛減少資本支出，明年整體記憶體資本支出將下滑19%。不過，控制晶片大廠群聯(8299-TW)董事長潘健成對明年Flash產業景氣相對樂觀，他認為，市場仍有基本需求，且手機等電子產品內含記憶體容量持續增加，有助推升Flash產業成長，預期Flash景氣最快明年第1季落底，第2、3季下游廠商備貨需求可期，預期景氣動能將逐步回升。DRAM方面，南亞科(2408-TW)、華邦電(2344-TW)與威剛(3260-TW)均看好新應用將會持續推升DRAM需求動能，對明年產業發展並未太過悲觀看待，且南亞科與威剛認為，明年DRAM價格將在合理範圍內，出現價格緩跌情況，華邦電則點出近3季為觀察產業後市的關鍵時期。即便業者對明年產業景氣並未如此悲觀，但美系外資率先表態，近期出具報告，看淡明年記憶體產業景氣，認為DRAM明年全年要出現復甦機會不大，NAND市況雖有機會在下半年回穩，但價格仍有下修風險，群聯遭降評至中立、南亞科則遭調降目標價，外資對旺宏與華邦電的看法也同樣悲觀。除記憶體外，SEMI報告中也指出，晶圓代工、微控制及處理器等領域，資本投資力道將持續。其中，全球晶圓代工龍頭台積電(2330-TW)對後市展望相對樂觀，未來幾年資本支出也將維持在100億至120億美元規模，先進製程進度也不停歇，除今年已量產7奈米，7+奈米將在明年下半年逐步量產，5奈米則將在2020年上半年量產。聯電(2303-TW)明年資本支出投資額則是相對保守，聯電今年資本支出金額原預定11億美元，實際執行金額仍待最後統計，該公司董事會日前通過資本預算案，預計投資新台幣274.06億元，用於擴充8吋與12吋晶圓產能。從聯電董事會最新通過的資本預算投資額來看，法人預期，聯電明年資本支出金額應與今年水準相當。
