力旺OTP矽智財成功導入22FDX製程

力旺電子 (3529) 今天宣布其一次可編程 (OTP) 記憶體矽智財 NeoFuse，成功導入 22 奈米全空乏絕緣上覆矽 (fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI) 製程平台(22FDX)，預計將於 2019 年第一季完成設計定案(Tape-out), 並於 2019 年第三季完成可靠度驗證。這是力旺 NeoFuse 技術繼在 FinFET 製程平台完成驗證後，再次於 FD-SOI 製程證明其特性。NeoFuse 解決方案具有低功耗、高可靠度、高安全防護、介面簡易及高彈性等特性，目前已與全球各大晶圓廠合作導入至多項先進製程平台。

力旺此次推出具有競爭力的 OTP 矽智財將有助強化 22FDX 平台，提升行動裝置、物聯網及 RF 連接等市場多元應用。預計在 22FDX 平台上使用這項解決方案的客戶將能因此受惠。

力旺業務發展中心副總經理何明洲表示:「NeoFuse 能夠為客戶創造競爭優勢，我們很高興能與世界級的代工廠合作，將這項矽智財方案的製程布局延伸至 22FDX 平台。」

目前業界在先進製程的 OTP 技術需要多次的寫入動作才能完成，力旺電子 NeoFuse 技術可確實做到「一次」將資料成功寫入，不僅可降低客戶的測試成本，也能提高可靠度。

此外，力旺 NeoFuse 技術可於超低電壓操作，系統於啟動最初階段即可開始動作以提供晶片的安全認證，特別適用於智慧卡、行動支付及物聯網等應用，並具有低漏電及優於一般的面積成本優勢。

力旺更預計在 22FDX 平台進一步推出新的 NeoFuse 矽智財規格，提供低至 0.5V 之操作電壓，以滿足更多客戶推出低功耗物聯網產品的需求，預計將於 2019 年第一季完成設計定案 (Tape-out)，並於 2019 年第三季完成可靠度驗證。