無線充電、Type C應用需求強 力旺NeoMTP布局TowerJazz BCD製程技術

半導體矽智財供應商力旺電子 (3529)，看好無線充電和 USB Type C 客戶之強勁需求，宣布其嵌入式可多次編寫記憶體矽智財 NeoMTP 已於 TowerJazz 0.18 微米 BCD 製程平台完成可靠度驗證；此舉也意味著，力旺在專攻電源管理應用的 BCD 製程又完成一重大布局。除了 NeoMTP 外，力旺也宣布近日會與 TowerJazz 合作，在 65 奈米 5V RF CMOS 製程開發可一次編寫記憶體矽智財 NeoBit 設計，以滿足 RF 和 5G 等通訊應用之需求。

力旺近年來積極布局電源管理 IC 的嵌入式非揮發性記憶體 (embedded Non-volatile Memory)，為因應無線充電和 Type C 客戶的需求，力旺更已陸續在全球各大晶圓廠 BCD 製程建構其 eNVM 矽智財解決方案。

力旺透露，此次在 TowerJazz 0.18 微米 1.8V/5V BCD 製程通過驗證的 NeoMTP 矽智財有幾項重要技術突破，包括更寬廣的操作電壓區間、車規等級的耐熱性，以及記憶體在反覆編寫 1,000 次情況下還能維持 10 年以上的資料保留時間。這些突破都有助 IC 設計廠達到車規的高溫、高耐受度要求。

力旺電子業務發展副總何明洲表示，這次 TowerJazz BCD 平台驗證的 NeoMTP 矽智財有不少技術突破，可讓使用的客戶在無線充電和 TypeC 等快速成長的市場享有明顯的競爭優勢。

IC 設計廠商使用 NeoMTP 矽智財不僅可延長產品生命週期，而且可擴大產品之應用範圍。以無線充電器為例，NeoMTP 允許頻繁修改原先內設之電源開關順序、輸出電流及溫度控制等規格參數；此外，NeoMTP 也可以讓 USB Type C 進行多次軟體及產品功能更新。

力旺的 NeoMTP 可多次編寫 eNVM 解決方案，此方案可達到車用等應用的耐久度要求，成本卻遠低於嵌入式快閃記憶體。此外，也有愈來愈多 IC 設計公司基於效能和安全的考量，改用 NeoMTP 取代外掛式 EEPROM。

力旺此次於 TowerJazz BCD 製程驗證的 NeoMTP 矽智財可在車規要求的溫度區間 (-40°C-150°C) 編寫達 1,000 次，同時可在 125° 的高溫下維持 10 年以上的資料保存時間。此外，這項矽智財還擴大操作電壓區間至 2.6V-5.5V，並有低功耗、高速讀取等功能。