三星華城廠18號線傳提前破土 將搭載EUV進攻頂端製程

《Business Korea》報導，南韓半導體巨擘三星電子 (Samsung Electronics)(005930-KR) 原定於明年在南韓華城市破土動工的 18 號生產線，傳三星電子已決定提前於今年十一月正式動工，加速推動半導體製程前行。

據了解，三星電子將於華城廠 18 號線架設 10 餘部極紫外光 (EUV) 設備，進一步跨入極紫外光的微影世代。據 EUV 設備製造商艾司摩爾 (ASML) 在去年 11 月的 EUVL Workshops 上透露，目前 EUV 光源強度已能達到 125W，預計 2018 年能達到光源強度 250W，可支持每小時生產 125 片晶圓之量產目標。

市場普遍估計，2018 年出廠的 iPhone 將搭載 A12 晶片，而 A 12 晶片就將採用 7 奈米製程，目前三星已購入多台生產 7 奈米製程晶片所需的極紫外光 (EUV) 微影設備。

據《Korea Herald》七月中報導，由於台積電 (2330-TW) 已連續兩年獨家吃下蘋果 iPhone 的 A10 與 A11 晶片代工訂單，三星電子共同執行長權五鉉已於六月前往蘋果總公司，成功說服蘋果將原本將由台積電獨家吃下的 A12 處理器代工訂單，部分轉單給三星電子。

而三星廣泛看好半導體後市，除了加速興建華城廠 18 號線以外，三星也已加碼投資平澤廠 14.4 兆韓元、峨山面板廠 1 兆韓元。

為了搶下更多半導體訂單，三星預計 2021 年前平澤廠再增設 2 條產線擴大產能，同時並著手研發第 5 代 3D NAND，累計總投資平澤廠之資金規模，共達 30 兆韓元。

三星先前投資 70 億美元的中國西安廠，已在 2014 年建造完成，目前也是生產 3D NAND，目前也正考慮擴大產能；此外，在美國德州還有一條半導體生產線。 

而三星電子本次投資華城廠 18 號線約 6 兆韓元，預計將於 2019 年下旬落成。