極紫外光

07-13A股港股

中國首台EUV曝光機原型機正式出光 斥資400億美元建構自主半導體鏈路

據《路透》與相關調查指出，位於深圳一座由中央科技委員會管理的保密設施內，首台全國產化的極紫外光曝光機 (EUV) 原型機已成功啟動，並穩定產生 13.5 奈米波長的極紫外光。報導稱，此進展意味著中國已在 EUV 技術鏈路上，從光源、光學系統到真空腔體實現初步貫通。

07-13美股雷達

《富比士》EUV霸權恐被打破？「這些技術」或2030年前重塑先進晶片製造

基於多項新興技術陸續崛起，全球尖端晶片的製造方式，最快可能在 2030 年前迎來重大變革。隨著人工智慧（AI）技術熱潮持續延燒，市場對尖端晶片的需求居高不下，然而全球先進晶片的供應，長期以來仍受限於少數幾家公司所掌握的關鍵技術與產能。根據《富比士》報導，雖然極紫外光（EUV）微影技術是目前業界製造最先進晶片的主流方案，但這並非是將微小電晶體「繪製」於矽晶圓上的唯一途徑。

02-27美股雷達

ASML稱次世代EUV設備已可用於量產 AI晶片生產迎關鍵轉折

據《路透》報導，艾司摩爾 (ASML Holding)(ASML-US) 一名高層表示，該公司次世代晶片製造設備已準備好供製造商開始啟動量產，對晶片產業而言是一大重要里程碑。這家荷蘭公司生產全球唯一商用的極紫外光微影 (EUV) 設備，為晶片製造商的關鍵核心設備。