東芝增產3D Flash!興建新廠房、活用AI提高生產效率
鉅亨網新聞中心 2016-11-09 09:02
MoneyDJ 新聞 2016-11-09 記者 蔡承啟 報導
東芝 (Toshiba)8 日發布新聞稿宣布,為了增產 3D Flash Memory,將在四日市工廠內興建新廠房「第 6 廠房 (Fab 6)」。東芝指出,該座新廠房將作為 3D Flash 專用廠房,將分 2 期工程興建,其中第 1 期工程將在 2017 年 2 月動工、並預計於 2018 年夏天完工。
東芝指出,關於上述新廠房具體的設備導入、開始生產時間,以及產能、生產計劃等細節,將待今後評估市場動向之後再決定,且和 Western Digital(WD) 進行協商後,雙方今後也將進行共同投資。
東芝並指出,該座新廠房將導入活用 AI 人工智慧的生產系統、藉此提升生產效率。
據 NHK 報導,東芝上述新廠房的投資額約 800 億日圓。
根據 Yahoo Finance 的資料顯示,截至台北時間 9 日上午 8 點 05 分為止,東芝勁揚 1.59% 至 376 日圓。
為了對抗三星電子等競爭對手,東芝於今年 3 月宣布,將在今後 3 年內 (2016 年度 - 2018 年度) 總計砸下約 8,600 億日圓投資 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory),而上述新廠房就是該 8,600 億日圓投資計畫中的一環。
東芝 7 月 27 日宣布,已研發出堆疊 64 層的 3D Flash 製程技術,並自當日起領先全球同業開始進行樣品出貨。東芝指出,採用上述製程技術的 256Gb(32GB) 產品預計將在 2017 年前半開始進行量產,主要用來搶攻數據中心 / PC 用 SSD、以及智慧手機 / 平板電腦 / 記憶卡等市場,且今後也計畫推出 512Gb(64GB) 產品。
東芝表示,和 48 層產品相比,此次新研發的 64 層產品每單位面積的記憶容量擴大至 1.4 倍,且每片晶圓所能生產的記憶容量增加、每 bit 成本也下滑。
東芝統籌記憶體事業的副社長成毛康雄於 7 月 6 日舉行的投資人說明會上表示,將衝刺 NAND 型快閃記憶體 (Flash Memory) 產量,目標在 2018 年度將 NAND Flash 產量擴增至 2015 年度的 3 倍水準(以容量換算)。
成毛康雄指出,將強化 3D Flash 的生產,目標在 2017 年度將 3D 產品佔整體生產比重提高至 5 成、2018 年度進一步提高至 9 成左右水準。
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