三星首推節能記憶體 量產40奈米級4Gb DDR3

三星的DDR3 產品 (圖：三星官網)

全球最大記憶體廠三星(Samsung；005930-KR)今(24)日宣布，領先業界開始量產40奈米級製程技術完成的低功耗4Gb DDR3產品。這項高密度記憶體將為資料中心(data center)、伺服器系統與高階筆記型電腦節省相當顯著的功率。

三星去(2009)年7月即率先業界推出40奈米級技術DDR3，過了7個多月後，再度宣布推出超低功耗的節能記憶體(Green Memory)，三星記憶體行銷部執行副總裁Dong-Soo Jun指出，這個4Gb DDR3產品密度是前一代的2倍，在16GB模組中使用4GB模組可省下35%的功耗。

三星表示，其40奈米級技術節能DDR3是為了伺服器產品而進行最佳化，以提昇其能源效率的等級，得以遵循、甚至超越新的能源之星(Energy Star)功耗規定。而4Gb DDR3的量產，將可提高伺服器使用記憶體的總量至每一模組32GB，是基於2Gb元件的模組密度最高值的2倍。

隨著4Gb DDR3開始量產，三星計畫將90%以上的DDR DRAM改由40奈米級製程技術生產，以提供三星客戶當今最低成本的DRAM元件，同時更鞏固三星的市場領先地位。

如今，伺服器在一顆CPU狀態下，可裝設平均6個RDIMM插槽，可容納高達96GB DRAM，功耗會因為元件特色而有所不同。一個基於60奈米級技術的1Gb DDR2模組會消耗210W，而基於40奈米級技術的2Gb DDR3模組可節省約75%功耗，只消耗55W。

然而，三星強調，全新的40奈米級技術4Gb DDR3模組則可省下高達83%功耗，僅僅消耗36W。隨著對於資料中心能源成本的日趨重視，這些記憶體省下的功率，等同於減少伺服器整體系統10%的功耗。

三星並指出，透過應用三星的40奈米技術4Gb DDR3模組到現存的伺服器系統，DRAM密度可增加至少2倍，系統使用壽命可被顯著延長，並進而減少新系統的投資。

此外，此4Gb DDR3可將SoDIMM的密度提昇至8GB，促使一個系統層級密度在2個插槽狀態下可達到16GB，在4個插槽狀態下可達到32GB，得以滿足對具備先進顯示功能之高效能筆記型電腦的市場需求。

三星的4Gb DDR3可同時支援1.5V與1.35V規格，現在已供貨的記憶體模組包含16GB與32GB RDIMM，以及具備每秒1.6Gb效能的8GB SoDIMM記憶體模組。