極紫外光刻機
歐亞股
《路透社》周一 (23 日) 獨家報導指出,艾司摩爾最新表示,已找到可大幅提升關鍵晶片製造機器光源功率的方法,進而能在 2030 年前將晶片產量提高多達 50%。這家半導體設備製造龍頭的研究人員指出,透過提升功率,可將光刻機極紫外光源的功率提升至 1000 瓦,預計到 2030 年極紫外光 (EUV) 微影設備每小時的晶圓產量可增加 50%。
2026-02-24
歐亞股
《路透社》周一 (23 日) 獨家報導指出,艾司摩爾最新表示,已找到可大幅提升關鍵晶片製造機器光源功率的方法,進而能在 2030 年前將晶片產量提高多達 50%。這家半導體設備製造龍頭的研究人員指出,透過提升功率,可將光刻機極紫外光源的功率提升至 1000 瓦,預計到 2030 年極紫外光 (EUV) 微影設備每小時的晶圓產量可增加 50%。