投資計畫
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南韓半導體產業正迎來數十年來最宏偉藍圖，周一 (29 日) 宣布在西南部打造全新的記憶體晶片產業集群，加上三星披露的 2450 兆韓元 (約 1.8 兆美元) 長期投資計畫，一場面向 2030 年代乃至 2040 年代的產能大躍進已經啟動，但美銀與高盛出具最新研究報告指出，這場看似狂飆突進的擴張，實則是一場節奏極為冷靜的「長跑」，對全球記憶體市場的實質性供給衝擊，最快要等到 8 至 10 年後才會顯現。
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南韓綜合股指 (KOSPI) 周一 (29 日) 下午在三星與 SK 海力士共同宣布十年逾 1000 兆韓元半導體投資計畫後由跌轉漲，重返 8500 點上方，再度重現近期「暴跌－反彈－再暴跌」極端震盪行情。KOSPI 周一早盤開低走低，一度跌破 8350 點。
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南韓綜合股指 (KOSPI) 今 (29) 日開盤後一度重挫 3.1%，主要受到三星電子與 SK 海力士股價大跌拖累，因市場擔憂兩大晶片巨擘未來十年高達 2000 兆韓元 (約 1.3 兆美元) 的資本支出將嚴重侵蝕短期獲利。《韓國經濟日報》今日報導指出，三星與 SK 兩大集團預計在當天下午由南韓總統李在明主持的「大飛躍三大超級項目」發布會上，正式宣布上述十年投資計畫，其中三星打算在光州興建 4 至 5 座晶圓廠、在忠清南道建先進封裝廠；SK 海力士同樣規劃在光州設晶圓廠，並擴建忠清北道 NAND Flash 生產線。
南韓《每日經濟新聞》今 (10) 日引述政界與業界人士消息報導指出，三星電子與 SK 海力士正對全國各地區投資計畫進行最終審查，最快本月內公布細節，二者打算在西南部與中部擴大設施投資，項目涵蓋封裝產線，亦不排除新建半導體晶圓廠的可能性。另據《韓國經濟日報》(KED) 報導，南韓總統李在明預計 6 月 29 日與各大財閥負責人會面，討論區域投資佈局，相關計畫將在會議上正式對外公布。