美光科技：開始為輝達量產HBM4記憶體 銅鑼廠年底前啟動第2座晶圓廠

美光科技 (MU-US)周一 (16 日) 在輝達 GTC 大會上宣佈，旗下多款記憶體產品已同步進入大規模量產階段，這些產品均圍繞輝達 Vera Rubin 平台設計。

美光表示，HBM4 產線已在今年首季度開始量產並出貨，首批產品為 36GB 的 12 層堆疊版本，專為 Vera Rubin 平台打造。該產品的引腳速率超過 11Gb/s，可提供超過 2.8TB/s 的記憶體頻寬，相比上一代 HBM3E 提升約 2.3 倍，同時功耗效率提升超過 20%。

此外，美光也指出，目前已向客戶提供 16 層堆疊 48GB HBM4 的早期樣品。相較於 12 層版本，該型號單顆容量提升 33%，能進一步提升單個 HBM 位置可用記憶體容量。

同日，美光亦稱打算在最近從力積電手中收購的銅鑼晶圓廠址之一建設第二座大型晶圓製造設施。

美光在最新聲明中表示，這座新晶圓製造設施將説明該公司大幅擴大最先進的資料中心級別 DRAM 系列產品的供應規模，其中主要包括 HBM，以支持持續激增的 AI 算力需求。新建設計畫預計將於美光 2026 財年年底之前啟動。