AI記憶體需求旺 DRAM ETF近5日漲逾8% 4月成立以來飆逾110%

聚焦全球記憶體產業鏈的 Roundhill Memory ETF(DRAM-US) 近期延續強勢表現，過去 5 個交易日上漲逾 8%，主要受惠於 AI 伺服器需求持續升溫，以及美光 (MU-US)、SK 海力士等主要持股股價走強。市場普遍看好 AI 記憶體需求長期成長趨勢，但也提醒，在股價快速上漲後，短線波動風險正逐漸增加。

DRAM ETF 專注投資於 DRAM、高頻寬記憶體 (HBM)、NAND Flash 及 SSD 等記憶體產業鏈企業，而非涵蓋整體半導體產業，因此投資組合更集中於全球記憶體市場。

自今年 4 月成立以來，DRAM ETF 累計漲幅已超過 110%，成為 AI 基礎建設熱潮下表現最亮眼的主題型 ETF 之一。

該 ETF 管理費率為 0.65%，目前僅持有 16 檔股票，資產規模約 230.3 億美元，採高度集中投資策略，使投資人能直接參與全球記憶體晶片產業的成長機會。

持股方面，主要成分股包括美光 (MU-US)、SK 海力士、SanDisk(SNDK-US)、三星電子、希捷科技(STX-US) 及威騰電子 (WDC-US) 等全球主要記憶體及儲存設備業者。

近期 ETF 走勢主要受惠於美光與 SK 海力士股價持續反彈。市場認為，隨著 AI 大型語言模型快速發展，以及全球科技業者持續興建 AI 資料中心，高頻寬記憶體 (HBM) 與 DRAM 需求仍將維持高成長，帶動整體記憶體產業景氣持續改善。

分析人士指出，記憶體晶片已成為 AI 伺服器不可或缺的重要元件，未來隨著各大科技公司持續增加 AI 基礎建設投資，相關需求可望持續支撐 DRAM ETF 長期表現。

不過，市場也提醒，近期半導體及記憶體類股漲幅已相當可觀，部分個股估值明顯提高，投資人仍須留意短線修正風險。

分析認為，若未來 AI 資本支出放緩，或整體股市風險偏好下降，記憶體類股及 DRAM ETF 可能出現較大波動。不過，在 AI 伺服器、高頻寬記憶體及資料中心持續擴建的長期趨勢未變下，市場普遍仍看好記憶體產業中長期成長前景。