格棋斥6億元建中壢新廠 6吋SiC月產能5千片

碳化矽 (SiC) 長晶業者格棋化合物半導體今 (23) 日舉行中壢新廠落成典禮，新廠總投資金額新台幣 6 億元，其中，6 吋碳化矽晶片月產能可達 5,000 片，同時宣布與國家中山科學研究院合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。

此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社 (Mitsubishi Materials Trading Corporation) 簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局。

格棋成立於 2022 年，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發。研發團隊成員在化合物半導體領域擁有豐富經驗。格棋中壢新廠總投資金額達新台幣 6 億元，預計 2024 年第四季達到滿產。其中 6 吋碳化矽晶片月產能可達 5,000 片，至 2024 年底，新廠將安裝 20 台 8 吋長晶爐及 100 台 6 吋長晶爐，大幅提升整體產能。除此之外，新廠還可提供超過 50 個就業機會。

格棋董事長張忠傑表示，中壢新廠的落成是格棋發展的重要里程碑。公司將持續投資先進設備與技術，以滿足日益成長的市場需求，鞏固全球碳化矽供應鏈中的關鍵地位。

因應全球 ESG 趨勢，格棋中壢新廠規劃導入能源管理系統及儲能系統，並整合再生能源系統，透過削峰填谷方式平衡能源需求，減少高峰時段的能源負荷，進一步降低能源成本及碳排放。

在新廠落成之際，格棋宣布與中科院簽署合作協議，雙方將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，透過此次合作加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為 5G/B5G 通訊基礎建設提供關鍵元件。

中科院院長李世強博士指出，隨著通訊頻段不斷提高，具有高電子遷移率的化合物半導體元件逐漸取代傳統矽基高頻元件。我們期待與格棋的合作能為台灣在高頻通訊領域帶來突破性進展，強化國家在全球通訊產業鏈中的戰略地位。

另一方面，格棋亦藉由今日場合，宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，將由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供 6 吋和 8 吋晶錠 (INGOT)、晶圓 (Wafer) 磊晶片 (EPI Wafer) 材料，格棋負責整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應 6 吋和 8 吋晶錠 (INGOT)、晶圓 (Wafer) 與磊晶片 (EPI Wafer)。

三菱綜合材料商貿社長橋本良作表示，台灣和日本在半導體產業皆具關鍵影響力，看好碳化矽元件在日本市場的發展前景，相信與格棋的合作將為雙方帶來互利共贏的機會。

格棋擁有獨特的碳化矽晶體成長技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術，以及原料控制和熱處理技術，其核心技術可有效提升晶體質量，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓。

格棋技術長葉國偉博士強調，碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及 5G 通訊等領域有著廣泛應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速增長。我們的目標是透過持續創新，鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。

隨著中壢新廠的落成，以及與不同領域夥伴的戰略合作，格棋化合物半導體正式邁入另一發展階段，未來將持續投資研發，優化製程技術，提供客戶高品質的碳化矽晶圓產品，強化台灣在全球第三代半導體產業中的領先地位。