力成攜手華邦電 開發2.5D/3D先進封裝業務

封測廠力成 (6239-TW) 與記憶體業者華邦電 (2344-TW) 今 (20) 日宣布，雙方簽訂合作意向書，共同開發 2.5D (Chip on Wafer on Substrate)/3D 先進封裝業務，搶食 AI 商機。

雙方指出，隨著人工智慧技術的蓬勃發展，市場對寬頻及高速運算的需求急遽上升，進而帶動對先進封裝及異質整合的強烈需求，力成作為業界的領先者，堅決投入並引領這場技術浪潮，此次戰略合作主要滿足市場對 2.5D(Chip on Wafer on Substrate) 及 3D 先進封裝的強烈需求。

雙方合作業務開發案將由力成提供所需 2.5D 及 3D 先進封裝服務，包括但不限於 Chip on Wafer、凸塊 (Bumping) 及矽穿孔 (TSV, Through Silicon Via) via-reveal 封裝等，並優先推薦客戶使用華邦電的矽中介層 (Silicon-Interposer) 及其他產品，包括動態隨機存取記憶體 (DRAM) 及快閃記憶體 (Flash) 等以完成前述之先進封裝服務，進而達成異質整合以滿足市場對高寬頻及高效能運算的服務需求。

華邦電新一代的矽中介層技術，是其在開發 CUBE DRAM 系列的伴隨產品，不僅實現高效能 AI 邊緣運算，更結合了力成在 2.5D 和 3D 的異質整合封裝技術，不僅強化了產品之高寬頻性能，也降低資料傳輸所需的電力，從而迎合 AI 時代對高速運算及低耗能的期望和需求。

力成和華邦電透過全面的上下游整合服務，將能夠為客戶提供更多異質整合方案，以促進 AI 技術的發展，進而引領 AI 邊緣運算領域的迅速蓬勃發展。