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三星明年逆勢擴記憶體、半導體產能 將增10台EUV機台

鉅亨網記者林薏茹 台北 2022-12-26 15:33

據韓媒報導,即便全球經濟放緩,三星仍計畫明年擴產平澤 P3 廠,包括 12 吋 DRAM 晶片、4 奈米晶片產能,並計畫明年增加至少 10 台 EUV 機台。

外媒報導,三星計畫用新的設備生產 12 奈米 DRAM,待 P3 廠擴產後,DRAM 月產能將由 2 萬片提升至 7 萬片。P3 廠為三星在全球最大晶圓廠區,今年將生產先進 NAND Flash 晶片。

在全球經濟受通膨等因素籠罩下,各大半導體廠相繼縮減資本支出,以度過這波景氣寒冬。美光上周才宣布 2023 年資本支出將降至 70-75 億美元,較 2022 年的 120 億美元大幅縮減,並暗示 2024 年將大幅調降資本支出。台積電 (2330-TW)(TSM-US) 今年 10 月法說時也宣布,2022 年資本支出將調降至少 10%。

三星先前曾表示,雖然目前市場需求減少,但因應中長期需求復甦,不考慮人為減產,今年資本支出仍預估為 54 兆韓元,按既定計畫進行。由於產業縮減投資幾乎已成「新趨勢」,三星卻不隨波逐流、背道而馳,格外引起市場關注。

記憶體市場更是面臨供過於求困境,但三星也表態不考慮人為減產,市場認為,三星計畫利用此次產業景氣遭遇寒冬之際,挾資本優勢蠶食 SK 海力士、鎧俠等其他大廠市占率,鞏固產業領導地位。





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