〈台版晶片法案〉行政院會明將討論 助台半導體廠鞏固產業關鍵地位

經濟部修正產創條例 10 條之 2 草案、也被外界稱為「護國神山條款」，行政院會明 (17) 日將討論通過，其中前瞻研發支出抵減率高達 25%，為產創最高抵減，一旦修法通過，台積電 (2330-TW)(TSM-US)，聯發科 (2454-TW) 等半導體大廠都將因此受惠，協助台廠維持半導體產業韌性及鞏固關鍵地位。

對此，台灣半導體產業協會 (TSIA) 表示，產創條例修法對產業有利，將有助推動研發創新，協會持正面支持態度。

受地緣政治因素影響，半導體供應鏈在地化興起，各國相繼祭出半導體補助政策，以發展自有供應鏈。繼美國晶片科技法案、日本半導體復興計畫、南韓 K 半導體戰略後，產創條例 10 條之 2 被視為「台版晶片法案」。

「產業創新條例」10 條之 2 針對「於中華民國境內進行技術創新，且居國際供應鏈關鍵地位之公司」，符合一定條件者，將企業前瞻研發費用抵減營所稅抵減率由 15% 大幅提高至 25%，先進製程設備投資則是當年度設備支出抵減營所稅 5%，兩抵減各自上限為不得超過當年度營所稅 30％，兩項合計不超過 50％。

申請公司須符三大條件，第一為須比照 OECD 最低稅負制，有效稅率在 15％以上；第二為同一課稅年度內之研發費用與研發費用占營收比率達一定規模，設備投資也達一定門檻；第三為近 3 年內無違反環保、勞工或食安相關法律且情節重大情事。