三星擬砸近2000億美元 未來20年在美設11座晶圓廠

三星擬砸近2000億美元 未來20年在美設11座晶圓廠 (圖:AFP)
三星擬砸近2000億美元 未來20年在美設11座晶圓廠 (圖:AFP)

華爾街日報 (WSJ)、彭博等外媒報導,南韓三星電子 (Samsung Electronics) 考慮未來 20 年投資近 2000 億美元,在美國德州設立 11 座晶圓廠,巨額投資可望大大提升美國在半導體市場的地位。

根據報導,三星 5 月底向德州主計長辦公室提交一系列文件,揭露這項規模近 2000 億美元的潛在投資計畫,因德州為大型企業投資提供為期十年的財產稅減免即將在今年底結束,三星計劃趕在到期前取得德州政府的財政激勵措施。

文件顯示,三星的德州新廠有兩座將座落於奧斯汀 (Austin),其他九座位於泰勒市 (Taylor),兩地的投資額分別約 250 億美元和 1700 億美元。

三星並表示,若確定要推進投資計畫,部分晶圓廠最快 2034 年左右就可投產,另一部分也會在後續十年啟動生產。

儘管如此,三星並未在文件中給出投資承諾。三星發言人表示,目前沒有具體設廠計畫,上述投資提案僅為三星長期規劃過程的一部分,以評估在美國設立更多晶圓廠的可行性。

三星目前在南韓有三座晶圓廠,德州奧斯汀和中國各有兩座工廠,去年還宣布將斥資 170 億美元在德州泰勒建立先進晶圓廠,目前新廠已動工,預計 2024 下半年投產。

三星的潛在投資規模相當驚人,且公布提案的同時,美國國會正在努力敲定晶片法案。晶片法案立法進度緩慢,已迫使部分半導體公司擱置數百億美元的潛在設廠項目,英特爾便表示,在缺乏獎勵措施的情況下,將無限期延後在俄亥俄州的晶圓廠動土典禮。

即使參院已在本周通過程序性投票,但還有立法細節需要搞定,晶片法案最快下周交付參院進行全院表決。


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