美光日本廣島DRAM廠跳電 估影響產能有限

DRAM示意圖。(圖:AFP)
DRAM示意圖。(圖:AFP)

記憶體大廠美光 (MU-US) 周二 (12 日) 公告,位於日本廣島的 DRAM 廠發生跳電意外,對此,研調機構 TrendForce 指出,美光受影響產能有限,且仍有庫存可滿足客戶需求,估此次跳電事件不會扭轉 DRAM 供過於求的現況。

美光日本廣島 DRAM 製造廠受惡劣天氣影響,7 月 8 日發生跳電,工廠暫停生產,目前產能已恢復至低水位,下周將陸續拉升產能,目前仍在評估損失中。

TrendForce 指出,以第三季產能來看,該廠月產能占美光月產能約 30%,若以全球產能來看,投片占比則約 7%。主要製程為 1Z 奈米,投片比重為 50% 以上,其次為 1Y 奈米,占比也有近 35%。

TrendForce 表示,跳電時間約 5-10 分鐘,機台同時啟動不斷電系統,受影響產能有限。且該廠主要是研發中心,下代製程 1beta 奈米也將優先於該廠內投產,現階段以產出智慧型手機相關的 mobile DRAM 為主。

TrendForce 認為,年初起地緣衝突、高通膨導致全球消費性電子需求疲弱,各原廠記憶體庫存皆處於較高水位,且跳電對美光產能影響較低,美光也能以庫存滿足客戶需求,對整體 DRAM 供需市場並未造成衝擊。

TrendForce 也指出,向來對市況會有即時反應的現貨市場,在跳電發生至今並未有需求增加,或發生客戶急單的市場反應,價格未現止跌訊號,維持原先對下半年的價格預期。


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