美光日本廣島DRAM廠跳電 估影響產能有限

記憶體大廠美光 (MU-US) 周二 (12 日) 公告，位於日本廣島的 DRAM 廠發生跳電意外，對此，研調機構 TrendForce 指出，美光受影響產能有限，且仍有庫存可滿足客戶需求，估此次跳電事件不會扭轉 DRAM 供過於求的現況。

美光日本廣島 DRAM 製造廠受惡劣天氣影響，7 月 8 日發生跳電，工廠暫停生產，目前產能已恢復至低水位，下周將陸續拉升產能，目前仍在評估損失中。

TrendForce 指出，以第三季產能來看，該廠月產能占美光月產能約 30%，若以全球產能來看，投片占比則約 7%。主要製程為 1Z 奈米，投片比重為 50% 以上，其次為 1Y 奈米，占比也有近 35%。

TrendForce 表示，跳電時間約 5-10 分鐘，機台同時啟動不斷電系統，受影響產能有限。且該廠主要是研發中心，下代製程 1beta 奈米也將優先於該廠內投產，現階段以產出智慧型手機相關的 mobile DRAM 為主。

TrendForce 認為，年初起地緣衝突、高通膨導致全球消費性電子需求疲弱，各原廠記憶體庫存皆處於較高水位，且跳電對美光產能影響較低，美光也能以庫存滿足客戶需求，對整體 DRAM 供需市場並未造成衝擊。

TrendForce 也指出，向來對市況會有即時反應的現貨市場，在跳電發生至今並未有需求增加，或發生客戶急單的市場反應，價格未現止跌訊號，維持原先對下半年的價格預期。