〈世界先進展望〉GaN技術已近量產階段

世界先進董事長方略。(鉅亨網記者林薏茹攝影)
世界先進董事長方略。(鉅亨網記者林薏茹攝影)

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 董事長方略今 (19) 日表示,將積極參與化合物半導體市場,目前 GaN (氮化鎵) 技術可靠性與良率已近量產階段。

方略指出,GaN 的新材料產品認證時間較長,短期技術開發雖有進展,但市場規模仍小、是利基市場,營收貢獻仍不大。

方略表示,Gan 前段將在晶圓三廠進行,後段磨切等製程則移至晶圓二廠,將與客戶合作,以客戶需求推進生產。

方略強調,目前化合物半導體在全球半導體市占率不到 1%,基期仍很低,後續成長性高。

世界先進與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作,開發可做到 8 吋的新基底 GaN-on-QST。世界先進預計第四季到明年 1 月,將有不同客戶新品設計定案 (tape-out),進度符合預期,最快明年下半年可望放量。


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