SK海力士成美中科技戰新受害者 無錫廠升級投資案傳遭美反對

路透周三 (17 日) 引述消息人士報導，由於美國阻止先進半導體設備進入中國，南韓記憶體大廠 SK 海力士中國無錫廠升級計畫恐面臨困境，使該公司成為美中科技戰的新受害者。

消息人士表示，SK 海力士原先計劃升級中國無錫記憶體晶圓廠，並引進艾司摩爾 (ASML) 最新的微影技術極紫外光 (EUV) 設備。然而該計畫遭到美國反對，理由是買入這種先進設備將加強中國的軍事能力。

一位白宮高層拒絕對 SK 海力士擬於無錫廠投資 EUV 設備發表評論，但重申拜登政府仍然專注於阻止中國利用美國與盟國的技術來發展最先進的半導體、進而實現軍事現代化。

SK 海力士無錫廠對全球電子業至關重要，因為該廠 DRAM 產能佔該公司全部產能的一半，也佔全球總量的 15%，任何重大變化都可能對全球記憶體市場產生影響。

熟悉 SK 海力士中國業務的消息人士表示，由於未來兩到三年內，產能當中 DDR5 產品佔比將持續成長，因此將需要 EUV 設備來控制成本並加速生產。

若此現況未來幾年內無法解決，SK 海力士在面對記憶體龍頭三星電子和美光 (MU-US) 的競爭時將處於劣勢。目前三星和美光也正在採用 EUV 設備，但並未在面臨出口限制的廠房使用。

ASML(ASML-US) 發言人表示，過度或大範圍使用這些設備出口控制措施，可能會影響產業支應半導體需求所需的產能，加劇晶片供給問題。

分析人士認為，美國認為 SK 海力士將 EUV 設備引入中國，無異於與中國企業此前進口設備。VLSIresearch 執行長 Dan Hutcheson 表示，這些中國設廠的海外企業確實陷入美中科技戰。

Hutcheson 補充說，無論是誰，只要把 EUV 引入中國都對該國有利，因為一旦設備流入中國，將無從得知後續流向。