〈觀察〉大廠相繼宣布投入建廠 Micro LED量產時間不遠了？

在技術困難、成本高昂等因素相繼獲解決後，Mini LED 背光終端應用可望從明年下半年起放量，就在 Mini LED 應用推進市場的時程更趨明確後，近來傳出包括三星及台廠晶電 (2448-TW)，都有意投資興建 Micro LED 生產基地，掀起市場討論，距離 Micro LED 量產時間似乎不遠？

Micro LED 被視為可顛覆產業的新一代顯示技術，但在關鍵技術與設備上還未取得突破，Mini LED 因技術難度相對較低，被市場定位為 Micro LED 的過渡性產品，成為近來攫取市場目光的顯示技術。

在推進終端應用市場前，Mini LED 面臨轉移打件難度高，及良率與後續壞點修復等技術上的困難，在技術等多重因素交互影響下，成本大幅增加，成本過於高昂也讓下游客戶卻步，導入意願隨之降低。

為突破技術上的窒礙難行，LED 業者跳脫原先單純的 LED 晶粒供應商角色，開始與客戶一同解決問題，提供整體解決方案，包括技術上的困難、成本高昂等問題，都成功取得一定程度的進展。

然而，即便業者努力降低各方面導入門檻，目前 Mini LED 應用成本仍相對偏高，因此，去年下半年 Mini LED 背光問世初期，導入產品以大尺寸電視、高階筆電、電競螢幕等高階應用為主，出貨量並未放大，但業界看好，明年下半年包括筆電、平板等大尺寸消費性電子產品將陸續導入，終端應用可望放量，穿戴裝置、手機等小尺寸 Mini LED 終端應用，也可望問世。

在 Mini LED 終端應用放量時程更加明確之際，技術難度更高的 Micro LED，近來傳出大廠紛紛有意建置生產基地，使 Micro LED 技術近來再度浮出水面，重回市場焦點。

Mini LED 是指 LED 晶粒長寬約 100 至 300 微米的 LED，晶粒尺寸介於傳統 LED 與 Micro LED 間。而 Micro LED 則是微型化 LED 陣列，將 LED 結構設計進行薄膜化、微小化與陣列化，晶粒邊長小於 100 微米，體積約為目前 LED 大小的 1%，且與 OLED 一樣能實現每個畫素單獨定址、單獨驅動發光，將畫素點的距離由原先的毫米級，降至微米級。

Micro LED 優點包括低功耗、高亮度、超高解析度與色彩飽和度、反應速度快、超省電、壽命較長、效率較高等，其功率消耗量約為 LCD 的 10%、OLED 的 50%，節能省電效率更佳，且有別於傳統 LED 與 Mini LED，Micro LED 具備自發光、無需背光源的特性。

從應用面來看，一般的 LED 晶片以照明與顯示器背光模組為主，Mini LED 應用是以 HDR 與異型顯示器等背光應用為主，終端產品包括手機、電視、車用面板與電競用筆電等；Micro LED 應用概念則完全不同，由於是自發光顯示技術，除應用於手機、車用顯示器與電視等，還可拓及至 AR 或 VR、智慧手錶、投影機等領域。

不過，由於 Micro LED 技術必須將 LED 微小化，以 4K 等級的 Micro LED 螢幕為例，需要高達 2488 萬顆 LED 高度集成，且由於晶粒尺寸微縮至 100 微米以下，從 LED 磊晶設計到晶片製程，都需投入新設備，對 LED 廠來說，資本支出與設備攤提的折舊成本，將大幅增加。

除成本高昂問題待突破，Micro LED 仍面臨包括巨量轉移等技術瓶頸，許多系統大廠紛紛投入資源，開發巨量轉移技術；近來傳出，三星電子正考慮在明年上半年，投資工廠與設備以啟動 Micro LED 生產，惟具體投資規模與量產時間還未確定，晶電也擬與中國 LED 顯示屏大廠利亞德集團成立合資公司，傳將共同建置 Micro LED 量產基地。

業界原先預期，Micro LED 受限巨量轉移等技術瓶頸，真正步入量產階段恐得歷時至少 3 至 5 年時間，然而，從各大廠商相繼投入建立 Micro LED 生產基地來看，Micro LED 應用可能會較原先預期還早問世。