〈觀察〉大廠相繼宣布投入建廠 Micro LED量產時間不遠了?

Mini LED已導入高階筆電等終端應用。(圖:AFP)
Mini LED已導入高階筆電等終端應用。(圖:AFP)

在技術困難、成本高昂等因素相繼獲解決後,Mini LED 背光終端應用可望從明年下半年起放量,就在 Mini LED 應用推進市場的時程更趨明確後,近來傳出包括三星及台廠晶電 (2448-TW),都有意投資興建 Micro LED 生產基地,掀起市場討論,距離 Micro LED 量產時間似乎不遠?

Micro LED 被視為可顛覆產業的新一代顯示技術,但在關鍵技術與設備上還未取得突破,Mini LED 因技術難度相對較低,被市場定位為 Micro LED 的過渡性產品,成為近來攫取市場目光的顯示技術。

在推進終端應用市場前,Mini LED 面臨轉移打件難度高,及良率與後續壞點修復等技術上的困難,在技術等多重因素交互影響下,成本大幅增加,成本過於高昂也讓下游客戶卻步,導入意願隨之降低。

為突破技術上的窒礙難行,LED 業者跳脫原先單純的 LED 晶粒供應商角色,開始與客戶一同解決問題,提供整體解決方案,包括技術上的困難、成本高昂等問題,都成功取得一定程度的進展。

然而,即便業者努力降低各方面導入門檻,目前 Mini LED 應用成本仍相對偏高,因此,去年下半年 Mini LED 背光問世初期,導入產品以大尺寸電視、高階筆電、電競螢幕等高階應用為主,出貨量並未放大,但業界看好,明年下半年包括筆電、平板等大尺寸消費性電子產品將陸續導入,終端應用可望放量,穿戴裝置、手機等小尺寸 Mini LED 終端應用,也可望問世。

在 Mini LED 終端應用放量時程更加明確之際,技術難度更高的 Micro LED,近來傳出大廠紛紛有意建置生產基地,使 Micro LED 技術近來再度浮出水面,重回市場焦點。

Mini LED 是指 LED 晶粒長寬約 100 至 300 微米的 LED,晶粒尺寸介於傳統 LED 與 Micro LED 間。而 Micro LED 則是微型化 LED 陣列,將 LED 結構設計進行薄膜化、微小化與陣列化,晶粒邊長小於 100 微米,體積約為目前 LED 大小的 1%,且與 OLED 一樣能實現每個畫素單獨定址、單獨驅動發光,將畫素點的距離由原先的毫米級,降至微米級。

Micro LED 優點包括低功耗、高亮度、超高解析度與色彩飽和度、反應速度快、超省電、壽命較長、效率較高等,其功率消耗量約為 LCD 的 10%、OLED 的 50%,節能省電效率更佳,且有別於傳統 LED 與 Mini LED,Micro LED 具備自發光、無需背光源的特性。

從應用面來看,一般的 LED 晶片以照明與顯示器背光模組為主,Mini LED 應用是以 HDR 與異型顯示器等背光應用為主,終端產品包括手機、電視、車用面板與電競用筆電等;Micro LED 應用概念則完全不同,由於是自發光顯示技術,除應用於手機、車用顯示器與電視等,還可拓及至 AR 或 VR、智慧手錶、投影機等領域。

不過,由於 Micro LED 技術必須將 LED 微小化,以 4K 等級的 Micro LED 螢幕為例,需要高達 2488 萬顆 LED 高度集成,且由於晶粒尺寸微縮至 100 微米以下,從 LED 磊晶設計到晶片製程,都需投入新設備,對 LED 廠來說,資本支出與設備攤提的折舊成本,將大幅增加。

除成本高昂問題待突破,Micro LED 仍面臨包括巨量轉移等技術瓶頸,許多系統大廠紛紛投入資源,開發巨量轉移技術;近來傳出,三星電子正考慮在明年上半年,投資工廠與設備以啟動 Micro LED 生產,惟具體投資規模與量產時間還未確定,晶電也擬與中國 LED 顯示屏大廠利亞德集團成立合資公司,傳將共同建置 Micro LED 量產基地。

業界原先預期,Micro LED 受限巨量轉移等技術瓶頸,真正步入量產階段恐得歷時至少 3 至 5 年時間,然而,從各大廠商相繼投入建立 Micro LED 生產基地來看,Micro LED 應用可能會較原先預期還早問世。


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