世界先進布局新材料氮化鎵領域 明年小量送樣

世界先進董事長方略。(鉅亨網資料照)
世界先進董事長方略。(鉅亨網資料照)

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 藉由收購格芯新加坡廠,跨入微機電系統晶圓代工市場,同時,世界也持續投資佈局新材料領域如氮化鎵 (GaN) ,預計明年小量送樣 GaN 晶圓,但由於新材料開發難度高,量產時間仍未確定。

世界收購格芯新加坡 8 吋廠,預計 12 月 31 日完成交割,明年 1 月 1 日正式加入營運,屆時世界總產能將增加 15-20%,且該廠原先主要業務為微機電系統 (MEMS),加入生產後,世界先進也將順勢搶進微機電系統晶圓代工市場。

對於未來將持續投入資源的領域,世界先進董事長方略表示,除驅動 IC、電源管理 IC、分離式元件與感測器等,加入新加坡廠後,也將積極開發微機電系統市場。

另一方面,世界先進也將持續投資新材料,方略表示,在氮化鎵 (GaN) 材料上已投資 4 年多,將持續開發,不過,由於 GaN 屬於新材料,效能、可靠度等,均需要長時間驗證,目前 GaN 晶圓量產時間仍無法確定,量產時間最大變數在於材料開發的難度,預計明年將小量樣品送樣。

由於 GaN 在 5G 高頻功率元件中,扮演重要角色,被看好未來將大量應用於車聯網、電動車、5G 基地台供電模組等領域,世界先進也因此積極佈局 GaN 材料。方略指出,GaN 應用包括電源、射頻 (RF) 等,目前策略是先做電源,未來再考慮走向射頻。


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