世界先進布局新材料氮化鎵領域 明年小量送樣

晶圓代工廠世界先進 (5347-TW) 藉由收購格芯新加坡廠，跨入微機電系統晶圓代工市場，同時，世界也持續投資佈局新材料領域如氮化鎵 (GaN) ，預計明年小量送樣 GaN 晶圓，但由於新材料開發難度高，量產時間仍未確定。

世界收購格芯新加坡 8 吋廠，預計 12 月 31 日完成交割，明年 1 月 1 日正式加入營運，屆時世界總產能將增加 15-20%，且該廠原先主要業務為微機電系統 (MEMS)，加入生產後，世界先進也將順勢搶進微機電系統晶圓代工市場。

對於未來將持續投入資源的領域，世界先進董事長方略表示，除驅動 IC、電源管理 IC、分離式元件與感測器等，加入新加坡廠後，也將積極開發微機電系統市場。

另一方面，世界先進也將持續投資新材料，方略表示，在氮化鎵 (GaN) 材料上已投資 4 年多，將持續開發，不過，由於 GaN 屬於新材料，效能、可靠度等，均需要長時間驗證，目前 GaN 晶圓量產時間仍無法確定，量產時間最大變數在於材料開發的難度，預計明年將小量樣品送樣。

由於 GaN 在 5G 高頻功率元件中，扮演重要角色，被看好未來將大量應用於車聯網、電動車、5G 基地台供電模組等領域，世界先進也因此積極佈局 GaN 材料。方略指出，GaN 應用包括電源、射頻 (RF) 等，目前策略是先做電源，未來再考慮走向射頻。