記憶體佔總半導體資本支出超過50% NAND記憶體市場恐面臨供過於求
鉅亨網編譯凌郁涵 2018-08-29 15:25
有鑑於 DRAM 的資本支出在今年高速成長,記憶體類別躍升成為 2018 年全球半導體資本支出的最大比重。
IC Insights 預測,今年半導體資本支出總額將增加至 1020 億美元,首次突破 1000 億美元。相比去年的 933 億美元相比,成長了 9%,也比 2016 年成長了 38%。
根據報告顯示,有超過一半的資本支出預計用於記憶體生產,主要是 DRAM 和閃存記憶體,以及對現有晶圓廠線和全新製造設備的升級。總體來說,今年記憶體將占整體半導體資本支出的 53%。記憶體的資本支出比重,在六年內大幅增加,幾乎翻了一倍。從 2013 年的 27%(147 億美元) 增加到 2018 年的半導體總資本支出的 53%(540 億美元),達到 30% 的複合年增率 (2013-2018)。
在主要產品類別中,DRAM / SRAM 的支出預計增加幅度最大。而閃存記憶體則將成為今年資本支出的最大比重。預計 2018 年 DRAM / SRAM 類別的資本支出將出現 41% 的成長,這是繼 2017 年強勁的 82% 成長後又一波增幅。而 2018 年閃存記憶體類別的資本支出將成長 13%,相較 2017 年同期的 91%。
然而,在經過兩年的資本支出大幅增加後,市場開始擔憂,高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下跌。根據記憶體市場的歷史經驗,過多的支出通常會導致產能過剩和隨後的價格疲軟。IC Insights 認為,未來 3D NAND 快閃記憶體市場未來很可能供過於求,而且這樣的風險正在持續增長中。
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